Продукція > NST

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NST45011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST45011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+29.13 грн
763+18.55 грн
771+18.35 грн
1032+13.22 грн
1176+10.74 грн
3000+10.00 грн
6000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST45011MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.84 грн
26+29.13 грн
100+17.88 грн
250+16.38 грн
500+11.75 грн
1000+10.31 грн
3000+10.00 грн
6000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST4617MX2T5GonsemiDescription: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.23 грн
100+8.20 грн
500+6.27 грн
1000+4.66 грн
2000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST4617MX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 50 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 50 V
на замовлення 7612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST4617MX2T5GonsemiDescription: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.14 грн
16000+3.45 грн
24000+3.39 грн
56000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1onsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 50V NPN
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Power - Max: 535 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 47974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.51 грн
100+24.36 грн
500+17.56 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 47950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST489AMT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 0.535W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Power dissipation: 0.535W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 300...900
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GOn SemiconductorTRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.89 грн
37+20.57 грн
39+19.49 грн
100+8.00 грн
250+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
на замовлення 15147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.19 грн
100+8.94 грн
500+6.23 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4546+7.78 грн
10000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
на замовлення 6709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.18 грн
6000+5.39 грн
9000+5.10 грн
15000+4.49 грн
21000+4.31 грн
30000+4.14 грн
75000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4546+7.78 грн
10000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2187+6.47 грн
2210+6.40 грн
2277+6.21 грн
2348+5.81 грн
3000+5.22 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 2187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 111040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.62 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.33 грн
70+10.79 грн
117+6.24 грн
250+5.72 грн
500+5.33 грн
1000+5.16 грн
3000+5.01 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST807CMTWFTBGonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.81 грн
100+13.86 грн
500+9.78 грн
1000+8.74 грн
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST807CMTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST817CMTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN, 45 V, 500 MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-1123
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+13.06 грн
100+8.15 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
2000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.347W; SOT1123
Kind of package: reel; tape
Case: SOT1123
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.347W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST846BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 207200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GP TRANSISTOR
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.39 грн
2000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 65 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 65 V
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST846BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846MTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST846MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846MTWFTBGonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.06 грн
100+13.36 грн
500+9.40 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST846MTWFTBGonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847AMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847AMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST847AMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.39 грн
2000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BDP6T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.42W; SOT963
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT963
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BDP6T5GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
на замовлення 11748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BDP6T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.11 грн
100+11.45 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
2000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 290 mW
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.76 грн
100+10.54 грн
500+7.36 грн
1000+6.54 грн
2000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-1123
Power - Max: 290 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.36W; SOT1123
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT1123
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SNGL NPN GP TRANS
на замовлення 10265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT963
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BPDP6T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST848BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST848BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 430038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST848BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-1123
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.98 грн
100+10.68 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST848BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST848BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GP TRANSISTOR
на замовлення 13029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST856BF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST856BF3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
на замовлення 854049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4103+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 4103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST856BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST856BF3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST856MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST856MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST856MTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857AMX2T5GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857AMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST857AMX2T5GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+17.13 грн
100+8.66 грн
500+6.63 грн
1000+4.92 грн
2000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
на замовлення 7087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 280mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-963
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.56 грн
16000+4.90 грн
24000+4.66 грн
40000+4.13 грн
56000+3.98 грн
80000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 280mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 87790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.51 грн
100+11.03 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
2000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 824000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BF3T5GON SemiconductorPNP General Purpose Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 45V 100MA SOT1123
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SNGL PNP GP TRA SOT1123
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST857BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 167790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.81 грн
100+8.62 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
2000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.38 грн
16000+2.96 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTA-3065N-Line Micro фільтр для системи G-Lite ADSL, 1.5 Мбіт/с обмеження зверху, 512 кбіт/с обмеження знизу
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+345.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]