Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+46.29 грн
25+41.76 грн
100+34.54 грн
250+32.32 грн
500+30.98 грн
1000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.73ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.75 грн
18+45.83 грн
100+37.77 грн
500+30.96 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9989.50 грн
3+9705.15 грн
5+9015.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5957.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HARWINCategory: Plastic Pegs
Description: PCB distance; polyamide; L: 6.3mm; UL94V-2
Material: polyamide
Type of spacer: PCB distance
Flammability rating: UL94V-2
Plate mounting hole diameter: 3.8/3.8mm
Spacer length: 6.3mm
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+6.71 грн
100+5.65 грн
200+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Part Status: Active
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Holding Type: Snap Fit
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Snap Lock
Packaging: Bulk
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
18+17.20 грн
21+14.28 грн
25+12.63 грн
50+12.07 грн
100+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.75 грн
24+13.58 грн
100+10.29 грн
200+9.66 грн
500+9.18 грн
1000+8.70 грн
2000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Current Rating (Amps): 60 A
Part Status: Obsolete
Fuseholder Type: Block
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Termination Style: Box Lug
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage: 600V
Fuse Type: Cartridge
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Packaging: Bulk
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Number of Circuits: 2
Current Rating (Amps): 60 A
Part Status: Obsolete
Fuseholder Type: Block
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Termination Style: Box Lug
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage: 600V
Fuse Type: Cartridge
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFETs LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+123.10 грн
100+97.97 грн
500+77.80 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V DRIVE NCH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.97 грн
101+141.35 грн
250+135.68 грн
500+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXFU7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+136.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+144.49 грн
100+100.79 грн
250+100.10 грн
500+84.91 грн
1000+71.11 грн
2500+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.936ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.936ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.52 грн
10+156.23 грн
100+108.69 грн
500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
50+106.11 грн
100+95.85 грн
500+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.88 грн
115+124.07 грн
250+119.09 грн
500+110.69 грн
1000+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.14 грн
500+97.03 грн
1000+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+133.94 грн
100+92.38 грн
500+70.02 грн
1000+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.19 грн
86+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.45 грн
13+65.88 грн
100+46.87 грн
500+31.49 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.30 грн
146+97.10 грн
204+69.82 грн
205+66.98 грн
500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.87 грн
500+31.49 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+74.04 грн
25+62.10 грн
100+45.51 грн
250+39.26 грн
500+35.40 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+64.62 грн
100+38.59 грн
500+34.79 грн
1000+31.41 грн
2000+30.93 грн
4000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.87 грн
137+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
50+64.03 грн
100+57.24 грн
500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+119.88 грн
100+91.12 грн
500+76.63 грн
1000+72.49 грн
2000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+157.44 грн
134+106.50 грн
500+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+128.61 грн
100+81.46 грн
500+68.90 грн
2500+68.27 грн
5000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+120.63 грн
100+87.50 грн
500+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.48 грн
68+211.11 грн
100+203.95 грн
250+190.71 грн
500+171.77 грн
1000+160.87 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16489.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+132.82 грн
100+105.67 грн
500+83.91 грн
1000+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.60 грн
16+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.37 грн
130+109.25 грн
250+104.88 грн
500+97.48 грн
1000+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+76.03 грн
191+74.58 грн
200+71.21 грн
203+67.61 грн
1000+60.67 грн
2000+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.50 грн
10+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.83 грн
10+119.29 грн
100+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+123.05 грн
100+88.36 грн
500+75.94 грн
1000+62.48 грн
2000+60.34 грн
5000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+165.13 грн
100+115.29 грн
500+93.89 грн
1000+78.01 грн
2500+72.49 грн
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+155.71 грн
100+125.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+119.08 грн
100+93.20 грн
500+81.46 грн
1000+76.63 грн
2000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
50+101.67 грн
100+97.81 грн
500+77.70 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]