Продукція > RFD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RFD15P05onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05Fairchild/ON SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=50V, Id=15A, Rds=0.15 R, P=80W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05S5000
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SMonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SM
Код товару: 35502
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SMonsemi / FairchildMOSFET TO-252AA P-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SMFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 15 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1150 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 20 В, Rds = 150 мОм @ 15 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 80, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+48.59 грн
150+40.78 грн
1050+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SM9Aonsemi / FairchildMOSFET TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P05SM9A
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SMINTERSIL08+ HTSSOP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SMHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM9AS2463
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02LHarris CorporationDescription: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02LSM
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03L5M
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9AIR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05onsemi / FairchildMOSFET TO-251AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 14894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 32985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSMonsemi / FairchildMOSFETs TO-252AA N-Ch Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSMHARRISRFD16N05LSM
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.72 грн
500+74.45 грн
1000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSMonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSMFAIRCHILDTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
6+76.45 грн
10+68.14 грн
50+51.52 грн
100+45.70 грн
500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.51 грн
100+43.79 грн
500+32.34 грн
1000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.45 грн
500+37.69 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AUMWDescription: MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.77 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
12+72.08 грн
100+49.45 грн
500+37.69 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AonsemiMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+68.99 грн
100+40.32 грн
500+32.31 грн
1000+29.48 грн
2500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9AUMWDescription: MOSFET N-CH 50V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A (транзистор)
Код товару: 45506
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Power Dissipation (Max): 60W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05NLONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N05NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SLM
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SMonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AonsemiMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+67.96 грн
100+46.39 грн
500+36.86 грн
1000+33.48 грн
2500+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.79 грн
10+63.11 грн
100+49.88 грн
500+37.04 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.41 грн
11+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.89 грн
5000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480Harris CorporationDescription: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05_NLONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N05_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06L
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LES
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESMFAIRCHILDTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESMonsemi / FairchildMOSFETs FET 60V 47.0 MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.80 грн
177+80.35 грн
179+79.55 грн
181+75.73 грн
250+69.22 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
50+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.21 грн
10+80.60 грн
25+79.80 грн
100+75.89 грн
250+69.30 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+114.12 грн
100+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9Aonsemi / FairchildMOSFETs 60V Single
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+88.92 грн
100+61.16 грн
500+53.98 грн
2500+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.76 грн
5+109.69 грн
10+98.05 грн
25+83.93 грн
50+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06SMINTERSIL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06SM9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16NK05LSM9A
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16NO6L
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03HARRISRFD20N03
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03HARRISRFD20N03
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SMHARRISRFD20N03SM
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SMHARRISRFD20N03SM
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SMHARRISRFD20N03SM
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AON SemiconductorRFD20N03SM9A
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+117.07 грн
500+105.36 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AHARRISRFD20N03SM9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+117.07 грн
500+105.36 грн
1000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RFD20N03SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AON SemiconductorRFD20N03SM9A
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+117.07 грн
500+105.36 грн
1000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761HARRISRFD20N03SM9AR4761
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4770ON SemiconductorRFD20N03SM9AR4770
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+117.07 грн
500+105.36 грн
1000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4770ONSEMIDescription: ONSEMI - RFD20N03SM9AR4770 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]