Продукція > STH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+274.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+353.57 грн
100+287.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.80 грн
10+323.91 грн
100+231.26 грн
500+221.60 грн
1000+171.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+271.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.93 грн
10+353.57 грн
100+287.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH210N75F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH210N75F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH210N75F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH21K33F38-19.200MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 19.2000MHZ SNWV
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Base Resonator: Crystal
Frequency: 19.2 MHz
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+205.44 грн
50+195.45 грн
100+160.58 грн
500+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH21K33F38-26.000MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 26.0000MHZ SNWV
Base Resonator: Crystal
Frequency: 26 MHz
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+205.44 грн
50+195.45 грн
100+160.58 грн
500+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH21K33F38-32.000MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 32.0000MHZ SNWV
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32 MHz
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+205.44 грн
50+195.45 грн
100+160.58 грн
500+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH21K33R16-32.000MSuntsu Electronics, Inc.Description: XTAL OSC TCXO 32.0000MHZ SNWV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH22K33R16-32.000MSuntsu Electronics, Inc.Description: XTAL OSC TCXO 32.0000MHZ SNWV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH22N95K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH22N95K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH22N95K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.38 грн
10+211.97 грн
100+142.21 грн
500+125.64 грн
1000+101.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.21 грн
10+198.78 грн
100+141.07 грн
500+123.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.09 грн
10+282.69 грн
100+226.32 грн
500+177.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+211.18 грн
100+130.47 грн
500+121.50 грн
1000+103.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.32 грн
500+177.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 75V 2.6mOhm 180A STripFET III
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.67 грн
10+363.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsSTH240N75F3-6 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+331.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.96 грн
10+361.74 грн
100+265.06 грн
500+210.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsSTH240N75F3-6 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.10 грн
10+434.89 грн
25+432.90 грн
100+366.96 грн
250+336.40 грн
500+276.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsSTH240N75F3-6 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.10 грн
33+432.90 грн
100+366.96 грн
250+336.40 грн
500+276.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 75V 210A STripFET III
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.25 грн
10+369.16 грн
25+320.32 грн
100+274.07 грн
250+272.68 грн
500+238.86 грн
1000+222.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N75F3-6STMicroelectronicsSTH240N75F3-6 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+331.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH245N75F3-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.54 грн
10+152.14 грн
25+149.75 грн
50+142.10 грн
100+129.44 грн
250+122.30 грн
500+120.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH245N75F3-6STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH245N75F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH24D12Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 12A 12-280VAC 3-32VDC Zero Cross
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH24D25Teledyne RelaysSolid State Relays - Industrial Mount 25A 12-280VAC 3-32VDC Zero Cross
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH250N55F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH250N6F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
10+220.70 грн
100+157.51 грн
500+140.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+223.08 грн
100+142.21 грн
500+130.47 грн
1000+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.21 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMMOSFET N-CH 60V, 180A, 300Вт, 2,4мОм, DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.16 грн
10+226.32 грн
100+181.21 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH260N6F6-6STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 180 A STripFET III
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N4F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.33 грн
10+244.63 грн
100+175.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.88 грн
10+242.14 грн
100+151.88 грн
500+143.59 грн
1000+122.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.57 грн
10+235.06 грн
100+167.75 грн
500+140.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH270N8F7-6(MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6)
Код товару: 91606
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH272N6F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH272N6F7-6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.97 грн
2000+161.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.00 грн
10+292.04 грн
100+211.16 грн
500+185.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.72 грн
10+323.91 грн
100+203.65 грн
500+176.04 грн
1000+170.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.03 грн
10+292.95 грн
100+205.72 грн
500+182.94 грн
1000+156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.54 грн
10+248.67 грн
100+178.09 грн
500+150.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V H2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V H2PAK-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH290N4F6-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.87 грн
2000+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 922 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+331.02 грн
10+273.89 грн
25+234.03 грн
100+193.30 грн
250+189.84 грн
500+171.20 грн
1000+146.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.01 грн
10+238.05 грн
100+170.11 грн
500+142.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH3AltechDIN Rail Terminal Blocks DIN Term Blk, Ring Lug M3, Feed-Thru
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.71 грн
10+325.50 грн
20+256.81 грн
50+228.50 грн
100+205.72 грн
200+202.96 грн
500+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH300NH02L-6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]