Продукція > Si1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 19354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
6000+4.68 грн
9000+4.35 грн
15000+4.08 грн
21000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.91 грн
45+18.29 грн
100+11.54 грн
500+8.23 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+8.43 грн
1902+7.44 грн
2019+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 1678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 28365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.42 грн
100+7.22 грн
500+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
30+14.26 грн
33+12.75 грн
100+8.64 грн
500+7.04 грн
1000+6.21 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013DWFVishay / SiliconixMOSFETs SI1013X IN WAFER FORM (UNPROBED)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013RVISHAY
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1VISHAY
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixSC-75 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3VISHAY06+ SOT-523
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
6000+10.64 грн
9000+10.14 грн
15000+8.98 грн
21000+8.67 грн
30000+8.36 грн
75000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.53 грн
506+27.96 грн
691+20.47 грн
698+19.55 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.20 грн
20+37.90 грн
25+37.53 грн
100+26.96 грн
250+18.28 грн
500+17.38 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.02 грн
100+19.93 грн
500+14.21 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R/X05+
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013XVISHAY
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1VISHAYSOT416-B
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1 SOT416-BVISHAY
на замовлення 273200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREEVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
6000+10.21 грн
9000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.36 грн
21+36.27 грн
25+35.97 грн
100+25.62 грн
250+23.49 грн
500+17.63 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+35.97 грн
533+26.57 грн
538+26.31 грн
688+19.84 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 13296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.81 грн
100+19.16 грн
500+13.65 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMSilicon LabsQFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 15
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 18.5mA
Protocol: EZRadioPro
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2Silicon LabsDescription: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMSilicon LabsSI1015-A-GM SI1015
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016LATTICEQFP
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
853+16.59 грн
859+16.47 грн
981+14.43 грн
1032+13.22 грн
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 853 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 13415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+25.06 грн
100+16.00 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2/2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.93 грн
17+25.83 грн
50+17.86 грн
100+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.26 грн
6000+14.89 грн
12000+13.73 грн
15000+12.29 грн
24000+11.26 грн
30000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.02 грн
50+42.59 грн
100+36.42 грн
500+20.91 грн
1500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.42 грн
500+20.91 грн
1500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
6000+8.39 грн
9000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
36000+12.97 грн
72000+12.08 грн
108000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016XVISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3-AAA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-ES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixN/P-CH 20V 485MA SC-89-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
6000+10.37 грн
9000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+21.76 грн
654+21.64 грн
774+18.27 грн
1000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 12628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.12 грн
100+19.38 грн
500+13.83 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDescription: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDescription: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ
Packaging: Box
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Utilized IC / Part: Si1020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMSilicon LabsSI1020-A-GM SI1020
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]