Продукція > TP6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TP65H100G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.61 грн
50+232.14 грн
100+212.26 грн
500+166.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.18 грн
10+236.25 грн
50+184.97 грн
100+158.09 грн
500+140.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
10+299.72 грн
100+245.55 грн
500+196.17 грн
1000+165.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRTransphormMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.34 грн
10+269.84 грн
100+194.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.73 грн
100+125.49 грн
500+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+181.30 грн
100+127.42 грн
500+100.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRENESASDescription: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.64 грн
50+193.74 грн
100+176.57 грн
500+137.49 грн
1000+128.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesasTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.60 грн
10+234.09 грн
25+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesasTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.60 грн
61+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.44 грн
10+201.23 грн
100+142.10 грн
500+113.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+275.27 грн
100+225.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+217.76 грн
100+155.02 грн
500+120.24 грн
1000+114.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+194.21 грн
50+150.87 грн
100+128.48 грн
500+108.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
10+122.43 грн
50+93.43 грн
100+78.90 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.71 грн
50+69.26 грн
100+58.20 грн
500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRTransphormGaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.71 грн
50+69.26 грн
100+58.20 грн
500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP6604
на замовлення 52220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP661DMC ToolsCrimpers SINGLE POSITION HEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP668H2HARRIS1998
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP669DMC ToolsCrimpers / Crimping Tools SINGLE POSITION HEAD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP66P06SDC
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP670DMC ToolsCrimpers SINGLE POSITION HEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP6720DQ
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6720DQTB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6720Q
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6721QTOPROQFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP673DMC ToolsCrimpers / Crimping Tools Single Position Head
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6731QTOPRO
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6731QEGTOPRO05+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6731QXETOPRO03+
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6732Q.09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6732QTCTOPROQFP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
tp6740qtc
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6740SVQTOPROO3
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP67600TOPRO2005 QFP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6760QTOPROQFP208
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6760QBTOPRO2004
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6760QBGTOPRO2005
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6761GBG
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6761Q
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6761QBGTOPRO2005
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6761QPGTOPRO05+ BGA
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6762Q
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6762QAGTOPRO06+
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6800FTOPRO
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6801SB48QG
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6810FAQFP
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6810FN
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6810FNB
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP6811FN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]