Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.09 грн
5+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.42 грн
210+67.63 грн
250+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.43 грн
25+75.42 грн
100+65.22 грн
250+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
на замовлення 8712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.22 грн
50+82.88 грн
100+69.80 грн
500+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.87 грн
6000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.10 грн
174+81.33 грн
176+80.51 грн
250+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SDCFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 11046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.25 грн
87+163.89 грн
133+106.59 грн
500+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.80 грн
10+130.15 грн
25+128.85 грн
100+100.70 грн
250+92.30 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 29412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1087+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
10000+103.45 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101
Код товару: 198273
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.81 грн
111+128.23 грн
112+127.29 грн
200+95.47 грн
500+82.59 грн
1000+77.18 грн
2000+76.62 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.25 грн
10+163.89 грн
100+106.59 грн
500+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.80 грн
109+130.15 грн
110+128.85 грн
136+100.70 грн
250+92.30 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.80 грн
250+110.38 грн
500+108.93 грн
1000+100.98 грн
3000+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101-SN00155onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.12 грн
74+191.97 грн
75+190.09 грн
100+151.84 грн
250+139.25 грн
500+132.14 грн
1000+130.69 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.04 грн
10+195.72 грн
100+138.11 грн
500+110.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.12 грн
10+191.97 грн
25+190.09 грн
100+151.84 грн
250+139.25 грн
500+132.14 грн
1000+130.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+193.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.38 грн
10+256.28 грн
25+249.59 грн
100+213.67 грн
250+194.98 грн
500+183.30 грн
1000+169.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 21249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.12 грн
10+251.12 грн
50+197.21 грн
100+168.80 грн
500+152.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+350.38 грн
56+256.28 грн
57+249.59 грн
100+213.67 грн
250+194.98 грн
500+183.30 грн
1000+169.80 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONS/FAIMOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+250.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+193.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+378.42 грн
5+275.92 грн
10+241.53 грн
50+188.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+332.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.01 грн
500+218.05 грн
1000+206.26 грн
10000+187.53 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101EON SemiconductorMOSFET FET 100V 8.0 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101_F065onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101_SN00155onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
на замовлення 141 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 31360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.43 грн
100+95.69 грн
500+72.66 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.69 грн
108+132.01 грн
133+106.55 грн
500+81.38 грн
1000+73.07 грн
2000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.21 грн
97+146.90 грн
98+145.43 грн
126+108.60 грн
250+99.55 грн
500+80.79 грн
1000+78.24 грн
3000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.74 грн
93+153.04 грн
94+151.52 грн
119+115.54 грн
250+103.53 грн
500+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.