Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS8026SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 42641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+49.62 грн
100+28.37 грн
500+22.02 грн
1000+19.95 грн
3000+16.98 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+91.76 грн
100+65.47 грн
500+50.15 грн
1000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SONN
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+50.02 грн
100+28.44 грн
500+21.95 грн
1000+19.95 грн
3000+15.88 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiMOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.75 грн
10+253.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemi / FairchildMOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+151.63 грн
100+129.09 грн
500+127.71 грн
1000+127.02 грн
3000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.80 грн
10+227.37 грн
25+225.10 грн
100+192.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
Pulsed drain current: 1914A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.95 грн
10+246.11 грн
100+144.97 грн
500+132.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.45 грн
10+237.22 грн
100+169.45 грн
500+142.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+128.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.80 грн
63+225.10 грн
100+192.09 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.38 грн
10+325.65 грн
25+324.70 грн
100+311.65 грн
250+287.13 грн
500+274.27 грн
1000+272.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemi / FairchildMOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.09 грн
10+279.45 грн
25+241.62 грн
100+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+481.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiMOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.67 грн
10+365.19 грн
100+231.95 грн
500+224.36 грн
1000+209.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.90 грн
10+340.43 грн
100+248.54 грн
500+225.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.38 грн
44+324.70 грн
100+311.65 грн
250+287.13 грн
500+274.27 грн
1000+272.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+258.69 грн
500+245.70 грн
1000+231.52 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8095AC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemi / FairchildMOSFETs PT5 150V Dual N & P-Channel Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 12304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+258.69 грн
500+245.70 грн
1000+231.52 грн
10000+210.73 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Power - Max: 2.3W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+258.69 грн
500+245.70 грн
1000+231.52 грн
10000+210.73 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+159.30 грн
100+136.73 грн
500+125.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON Semiconductor
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.50 грн
10+124.03 грн
100+116.78 грн
500+93.48 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+151.63 грн
100+93.20 грн
500+78.70 грн
1000+73.18 грн
3000+67.10 грн
6000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+211.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.78 грн
500+93.48 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 248A; Idm: 943A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 248A
Pulsed drain current: 943A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
100+112.73 грн
1000+92.51 грн
3000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemi / FairchildMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.57 грн
10+150.05 грн
100+99.41 грн
500+84.22 грн
1000+73.87 грн
3000+68.97 грн
9000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.46 грн
10+183.98 грн
100+129.37 грн
500+99.52 грн
1000+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+181.21 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 74113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+154.81 грн
100+94.58 грн
500+78.01 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 117962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
Packaging: Bulk
на замовлення 41418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.13 грн
6000+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.53 грн
25+41.55 грн
100+37.39 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+83.68 грн
500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333Lonsemi / FairchildMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 34079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.47 грн
100+26.72 грн
500+25.27 грн
1000+23.82 грн
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.56 грн
30+25.48 грн
100+23.64 грн
250+21.67 грн
500+20.45 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+51.37 грн
1000+47.38 грн
10000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 26045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.38 грн
500+37.55 грн
1000+32.10 грн
3000+28.30 грн
6000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+25.48 грн
579+24.51 грн
585+24.27 грн
595+23.01 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.55 грн
100+59.80 грн
500+44.56 грн
1000+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.85 грн
100+52.22 грн
500+38.70 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.49 грн
6000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]