Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
10+315.00 грн
100+228.49 грн
500+202.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+425.25 грн
100+403.99 грн
500+382.72 грн
1000+348.55 грн
10000+303.75 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 282920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+425.25 грн
100+403.99 грн
500+382.72 грн
1000+348.55 грн
10000+303.75 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+425.25 грн
100+403.99 грн
500+382.72 грн
1000+348.55 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+174.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.21 грн
10+296.23 грн
100+214.09 грн
500+187.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+199.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 100796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
10000+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.91 грн
10+131.83 грн
25+129.75 грн
100+123.11 грн
250+112.05 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.91 грн
108+131.83 грн
110+129.75 грн
112+123.11 грн
250+112.05 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+199.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+452.34 грн
45+319.86 грн
100+253.04 грн
500+220.16 грн
1000+184.01 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.62 грн
500+200.81 грн
1000+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.99 грн
2000+211.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.99 грн
2000+211.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+171.28 грн
1000+161.83 грн
10000+146.94 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R145CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAInfineon
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.92 грн
10+247.62 грн
100+179.62 грн
500+136.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
500+207.90 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 72A D2PAK-2
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
500+207.90 грн
1000+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
1000+222.08 грн
10000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 195.3W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
1000+222.08 грн
10000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.08 грн
10+205.51 грн
100+145.35 грн
500+117.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.92 грн
10+177.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 72W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.37 грн
63+226.56 грн
100+159.64 грн
500+128.50 грн
1000+111.54 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.78 грн
74+191.84 грн
100+188.06 грн
500+132.13 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 1050-1059 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
10+196.99 грн
100+138.98 грн
500+111.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.18 грн
65+218.30 грн
100+214.52 грн
200+160.63 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.22 грн
66+215.99 грн
67+204.07 грн
100+149.72 грн
250+142.24 грн
500+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1InfineonMOSFET N-CH 650V 14A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.