Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB65R095C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.48 грн
43+335.31 грн
100+254.03 грн
500+242.34 грн
1000+220.85 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+257.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.86 грн
42+343.74 грн
50+308.63 грн
100+285.75 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.31 грн
10+277.76 грн
100+199.98 грн
500+156.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+566.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+257.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+362.07 грн
50+317.76 грн
100+300.79 грн
200+275.50 грн
500+244.99 грн
1000+210.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AInfineon TechnologiesIPB65R099CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+730.42 грн
25+699.03 грн
50+672.40 грн
100+626.38 грн
250+562.39 грн
500+525.21 грн
1000+512.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AInfineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.42 грн
40+357.59 грн
100+258.71 грн
500+248.54 грн
1000+214.53 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.91 грн
10+309.91 грн
100+224.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+353.86 грн
128000+324.91 грн
192000+303.91 грн
256000+277.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDInfineon
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+412.15 грн
51+278.89 грн
100+208.74 грн
500+188.40 грн
1000+158.37 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+437.51 грн
50+291.36 грн
100+275.33 грн
200+202.41 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+237.00 грн
100+169.65 грн
500+154.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAInfineon
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+519.51 грн
36+402.72 грн
100+309.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.67 грн
10+317.92 грн
100+230.60 грн
500+204.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1
Код товару: 220258
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.30 грн
100+403.09 грн
500+381.87 грн
1000+347.78 грн
10000+303.08 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 282920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.30 грн
100+403.09 грн
500+381.87 грн
1000+347.78 грн
10000+303.08 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.30 грн
100+403.09 грн
500+381.87 грн
1000+347.78 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.45 грн
10+298.97 грн
100+216.06 грн
500+189.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+175.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 100796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.61 грн
10+131.53 грн
25+129.46 грн
100+122.84 грн
250+111.80 грн
500+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.61 грн
108+131.53 грн
110+129.46 грн
112+122.84 грн
250+111.80 грн
500+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1Infineon Technologies650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.34 грн
45+319.15 грн
100+252.48 грн
500+219.67 грн
1000+183.60 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R115CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+200.37 грн
1000+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.48 грн
2000+211.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.48 грн
2000+211.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.33 грн
500+170.90 грн
1000+161.47 грн
10000+146.61 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R145CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]