Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4488DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+164.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.52 грн
10+137.64 грн
100+95.74 грн
500+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490SISOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DYVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DYVISHAY09+
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 80mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.92 грн
10+145.06 грн
100+101.19 грн
500+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.08 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
10+126.30 грн
100+95.37 грн
500+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 80mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.08 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-TI-E3VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+56.26 грн
100+39.59 грн
500+29.13 грн
1000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.27 грн
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.59 грн
259+54.32 грн
500+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4493DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4496
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4496DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4496DY-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4496DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4496DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4496DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
на замовлення 13516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.10 грн
10+107.25 грн
100+73.53 грн
500+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.36 грн
5000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI45005DY-T1VISHAY2004
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BSILISOP8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDYVISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDYVishay / SiliconixMOSFET COMPLEMENTARY MOSFET HALFBR1DGE (N&P-CH)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET COMPLEMENTARY MOSFET HALFBR1DGE (N&P-CH)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T10518+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DYVISHAYSOP-8
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DYVishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-TVISHAY
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-T1VISHAY0345+
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501SISOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501AVISHAY2008
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]