Продукція > IS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10BLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM 4Mb 256Kx16 10ns 2.4-3.6V Async SRAM
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25632BLL-10BLIISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25632BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT 10NS 90FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10BLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
Memory Organization: 256K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 36 SOJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSISRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216BLL-12TLIISSISRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216BLL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLIISSISRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Memory Organization: 32K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MI
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.79 грн
10+1087.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.99 грн
10+993.35 грн
25+962.28 грн
50+881.10 грн
210+836.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TIISSI09+ TO-247
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2517.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSIIC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.72 грн
10+1359.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIIntegrated Silicon Solution Inc.Fast Asynchronous SRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 10ns, 2.5V, -40?85°C IS61WV51216BLL-10TLI 6216512/10-2.5V TSOP2-44 PS8192/16/10 tso2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+930.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1521.50 грн
3+1339.86 грн
10+1240.36 грн
25+1109.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1296.68 грн
25+1279.06 грн
40+1217.88 грн
135+988.24 грн
270+908.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1462.72 грн
11+1359.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1446.03 грн
25+1417.46 грн
40+1318.83 грн
135+1104.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1443.11 грн
25+1414.73 грн
40+1316.38 грн
135+1102.77 грн
270+1013.97 грн
540+947.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.80 грн
10+959.62 грн
25+929.66 грн
50+851.25 грн
135+821.21 грн
270+800.57 грн
540+767.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI (new die)ISSISRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1487.99 грн
25+1417.56 грн
100+1319.19 грн
250+1209.10 грн
500+1148.78 грн
1000+1136.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.41 грн
10+1487.99 грн
25+1417.56 грн
100+1319.19 грн
250+1209.10 грн
500+1148.78 грн
1000+1136.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 20ns 48-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1176.93 грн
14+1083.58 грн
25+1038.60 грн
50+969.96 грн
100+842.55 грн
480+778.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1185.68 грн
10+1100.89 грн
25+1066.73 грн
50+1003.83 грн
100+906.66 грн
480+821.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.10 грн
10+753.97 грн
25+730.60 грн
50+669.11 грн
100+652.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Об'єм RAM = 8 Мбіт, Опис Статична пам'ять SRAM, Орг. пам. = 512 k x 16 ,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSIМікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.55 грн
10+724.42 грн
25+702.00 грн
50+642.92 грн
135+620.39 грн
270+604.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]