Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF540ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+411.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.20 грн
500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.55 грн
183+77.46 грн
196+72.10 грн
500+56.76 грн
1000+48.16 грн
2000+42.87 грн
5000+37.04 грн
10000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.63 грн
50+108.97 грн
100+97.68 грн
500+75.12 грн
1000+63.87 грн
2000+56.72 грн
5000+51.77 грн
10000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.19 грн
50+75.71 грн
100+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 92, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1770 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 26.5 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.08 грн
10+46.11 грн
50+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.19 грн
187+75.71 грн
200+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 49232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.32 грн
50+74.93 грн
100+67.17 грн
500+50.27 грн
1000+46.16 грн
2000+42.71 грн
5000+38.33 грн
10000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZS
Код товару: 99475
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 26,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRLPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540_R4941onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF541Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+122.70 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF541HARRISIRF541
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+151.70 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF541Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF541HARRISIRF541
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+151.70 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF541PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF542Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+125.45 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF542HARRISIRF542
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+154.06 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF543Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+76.77 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF543HARRISIRF543
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.63 грн
500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5505PBF
Код товару: 36207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
товару немає в наявності
очікується: 26 шт
  • 26 шт - очікується
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF550AFAIRCHILDTO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5612IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TR
Код товару: 37265
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 535/11,4
Монтаж: SMD
очікується: 600 шт
  • 600 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
3+7.50 грн
10+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRIR03+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TR SOT163-B3Z5KIR
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TR/B3T75IR09+
на замовлення 28818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRPBFInternational RectifierTSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -4A 85mOhm 11.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5800TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TR
Код товару: 29391
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 2,2Ohm; 600mA; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5801 TIRF5801
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.62 грн
540+26.14 грн
710+19.90 грн
1000+16.93 грн
3000+12.60 грн
6000+10.72 грн
9000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2368+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.83 грн
10+30.20 грн
100+19.37 грн
500+13.80 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.06 грн
51+14.94 грн
100+14.35 грн
250+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+11.99 грн
12000+11.87 грн
18000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.86 грн
12+35.81 грн
14+30.96 грн
50+21.09 грн
100+17.91 грн
500+12.89 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+13.53 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+12.06 грн
12000+11.94 грн
18000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
6000+13.22 грн
9000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 19087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2368+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
6000+13.22 грн
9000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.03 грн
19+40.62 грн
100+26.14 грн
500+19.19 грн
1000+15.67 грн
3000+12.10 грн
6000+10.72 грн
9000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
9000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
6000+10.40 грн
9000+10.29 грн
15000+9.83 грн
24000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.41 грн
18000+12.77 грн
27000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.66 грн
34+22.17 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+30.65 грн
100+19.67 грн
500+14.03 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.50 грн
22+34.96 грн
100+23.81 грн
500+17.84 грн
1000+14.13 грн
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
6000+10.79 грн
9000+10.32 грн
24000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]