Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.99 грн
10+125.80 грн
25+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y8R7-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.52 грн
100+51.91 грн
500+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80ENexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80E,115NXP USA Inc.Description: BUK7Y98-80E - N-CHANNEL 80V, 98
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK7Y98-80E - N-CHANNEL 80V, 98
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80E,115NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7Y98 - N-CHANNEL 80
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNexperiaMOSFETs N-channel 80 V, 9.9 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.7A; Idm: 49A; 37W
On-state resistance: 246mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 37W
Gate charge: 8.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 12.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 12.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y98-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80E/CXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 89A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y9R9-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 7300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.27 грн
100+66.79 грн
500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 89A
на замовлення 19303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y9R9-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W
On-state resistance: 24.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 354A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 51.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK854800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK856-800A
Код товару: 88798
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK856400IZ
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK856800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK856800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK866-400IZPHILIPS05+
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK866-400IZ
Код товару: 128191
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK866400IZ
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK900655A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-40ATC /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-40ATC,118NXP USA Inc.Description: BUK9107-40ATC - D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-426
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-40ATC,118NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-55ATE
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-55ATE /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-55ATE,118NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9107-55ATE,118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9107-55ATE -
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-426
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK910740ATC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK910755ATE
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9120PHI00+
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK912048TC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9207-30BPHILIPSTO252
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9207-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9207-30B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9207-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK920730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9209-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9209-40B,118NexperiaMOSFET BUK9209-40B/SOT428/DPAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9209-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9209-40B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 75A, 40V, 0.01OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK920940B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55BNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 167
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 185
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9212-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921255B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9213-30A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9213-60EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921330A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118NexperiaMOSFETs BUK9214-30A/SOT428/DPAK
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 30V 63A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 9517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-30A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 9517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9214-80EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921430A
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921475B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9215-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2916 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9215-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A.118
Код товару: 165282
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A/CDJNexperia USA Inc.Description: TRANS DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK92150-55A118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK92150-55A - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9215055A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9216-100EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.18 грн
500+61.11 грн
1000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NexperiaMOSFET BUK9217-75B/SOT428/DPAK
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+65.82 грн
1000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 538 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 8736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+70.95 грн
1000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK921775B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9219-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9219-55ANexperiaMOSFET N-CH 55V 55A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9219-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]