Продукція > SI3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3459BDV-T1-GE3 AS.. | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3459DV | VISHAY | 07+ SOT-163 | на замовлення 2190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3459DV-T1 | VISHAY | SOT-163 03+ | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3459DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3459DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3459DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3459DV-T1-E3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3459DVT1E3 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3459SMART24-KIT | Skyworks Solutions Inc. | Description: EVAL BOARD FOR SI3459 Packaging: Box Function: Power Over Ethernet (POE), PSE Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: Si3459 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 16-Channel Secondary Attributes: I2C Interface(s), Graphical User Interface (GUI) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460 | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3460-D00-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Skyworks | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E02-GM | Silicon Labs | QFN 11/-40 TO 85 OC/SINGLE-PORT IEEE 802.3AF PSE INTERFACE WITH DC-DC CONTR SI3460 кількість в упаковці: 122 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E02-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E02-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E02-GMR | Silicon Labs | SI3460-E02-GMR SI3460 кількість в упаковці: 1500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E03-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Hot Swap Voltage Controllers Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E03-GM | Silicon Labs | qfn 11/i°/Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller SI3460 кількість в упаковці: 122 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E03-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN Packaging: Tube Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE), DC/DC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 11V ~ 16V Internal Switch(s): No Standards: 802.3af (PoE) Supplier Device Package: 11-QFN (3x3) Auxiliary Sense: Yes Number of Channels: 1 Power - Max: 15.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E03-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE), DC/DC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 11V ~ 16V Internal Switch(s): No Standards: 802.3af (PoE) Supplier Device Package: 11-QFN (3x3) Auxiliary Sense: Yes Number of Channels: 1 Power - Max: 15.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-E03-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Hot Swap Voltage Controllers Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVAL POE FOR SI3460 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-EVB | Silicon Labs | Evaluation board for Si3460 single-port PSE controller SI3460 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460-EVB | Silicon Labs | Power Management IC Development Tools Single-port PoE PSE Eval Board and Reference Design Kit | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) | на замовлення 13694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 8.0A 3.5W | на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 N-CH 20V 6.2A | на замовлення 79882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 | на замовлення 6261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V | на замовлення 5385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1 | VISHAY | 0402+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E01-GM | Silicon Labs | Power Switch ICs - POE/LAN Single-port PoE / PoE+ PSE interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E01-GM | Silicon Labs | Description: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E01-GMR | Silicon Labs | Description: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E02-GM | Silicon Labs | Description: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E02-GM | Silicon Labs | QFN 11/I°/SINGLE-PORT POE / POE+ PSE INTERFACE SI3461 кількість в упаковці: 122 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-E02-GMR | Silicon Labs | QFN 11/I°/SINGLE-PORT POE / POE+ PSE INTERFACE SI3461 кількість в упаковці: 1500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-KIT | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI3461 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3461-KIT | Silicon Labs | I°/Single-port PoE+ (30W) PSE Eval Board and Reference Design Kit EVALBOARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM Код товару: 125797
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Silicon Labs | QFN 11/I°/SINGLE-PORT POE / POE+ PSE INTERFACE SI3462QFN кількість в упаковці: 122 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3at Single Ethernet port PSE controller | на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN Packaging: Tube Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 45V ~ 57V Current - Supply: 8mA Internal Switch(s): No Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE) Supplier Device Package: 11-QFN (3x3) Auxiliary Sense: No Number of Channels: 1 Power - Max: 30 W | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3at Single Ethernet port PSE controller | на замовлення 9477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 45V ~ 57V Current - Supply: 8mA Internal Switch(s): No Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE) Supplier Device Package: 11-QFN (3x3) Auxiliary Sense: No Part Status: Active Number of Channels: 1 Power - Max: 30 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 73500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 49500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 73500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN Power - Max: 30 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 11-QFN (3x3) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE) Internal Switch(s): No Current - Supply: 8mA Voltage - Supply: 45V ~ 57V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: Controller (PSE) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E01-GMR | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 45V 57V 30W 11-Pin QFN EP | на замовлення 49500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-E04-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3at Single Ethernet port PSE controller | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-E04-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3at Single Ethernet port PSE controller | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3462-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3462-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT Packaging: Bulk Function: Power Over Ethernet (POE), PSE Type: Power Management Utilized IC / Part: Si3462 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP N CHAN 20V | на замовлення 22836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP | на замовлення 5643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 | на замовлення 5762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

