Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4539ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.4A/3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539DY-T1SILICONIX9742
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4539DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539DYT1E3VISHAY
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYonsemi / FairchildMOSFET SO8 SINGLE NCH/PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4542DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 6.9/6.1A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-NL
на замовлення 35080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-T1VISHAY
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-T1-E3(P/B
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4542DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544SISOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DYSIL00+
на замовлення 27694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DY-T1VISHAY08+
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4544Y
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63/20nC
On-state resistance: 34/27mΩ
Power dissipation: 3.2/3.1W
Drain current: 8/-8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.97 грн
10+46.70 грн
100+30.68 грн
500+22.34 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558SISOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DV
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DY
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DY-T1VHSARY/SILIC0304+
на замовлення 37300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DY-TI
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4558DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559SI07+ SOP8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY
Код товару: 180685
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADYVISHAY09+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 13270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.3A/3.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.90 грн
5000+65.06 грн
10000+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4559ADY-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.3A/3.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.80 грн
5000+33.45 грн
12500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.09 грн
5000+36.60 грн
12500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3Vishay Siliconix(замена SI4559EY) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 16056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.84 грн
5000+55.60 грн
10000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.84 грн
5000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559AEYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EYVishay / SiliconixMOSFET 60V 4.5/3.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY
Код товару: 33827
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: N+P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-E3Vishay(замена IRF7343) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4559ADY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 60V 4.5/3.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1
Код товару: 154068
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4559ADY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1-E3Vishay(замегна IRF7343) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4559ADY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559EYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4560SLX91 SMD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 7.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-GE3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ПРИМЕНЯТЬ Si4599DY Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 7.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562N/A09+
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562ADYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562DY-T1VISHAY0326+
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4562DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4562DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4562DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]