Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.91 грн
6000+11.30 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK-7-01Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 89563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.43 грн
1500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 266928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 89563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.82 грн
76+10.71 грн
116+6.95 грн
500+5.43 грн
1500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.81 грн
37+21.99 грн
100+12.48 грн
500+8.08 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.48 грн
500+8.08 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 79903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
18+17.78 грн
100+9.87 грн
500+6.14 грн
1000+4.49 грн
3000+3.93 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.24 грн
29+26.59 грн
30+25.57 грн
100+15.86 грн
250+14.57 грн
500+13.01 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedMOSFET .15W 50V .28A
на замовлення 14234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.75 грн
12+27.55 грн
100+16.29 грн
1000+9.18 грн
3000+8.42 грн
9000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 280mA
на замовлення 24033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.92 грн
3000+11.75 грн
9000+6.01 грн
48000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 174791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
15+21.67 грн
100+12.91 грн
1000+7.25 грн
3000+6.63 грн
9000+5.87 грн
24000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VK-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.74 грн
1000+12.15 грн
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 44408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 31994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WKQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V SOT323
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTB-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTB-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.10 грн
6000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.18 грн
4000+17.43 грн
6000+17.12 грн
10000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+43.97 грн
100+29.97 грн
500+21.97 грн
1000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.86 грн
10+49.06 грн
100+29.13 грн
500+24.16 грн
1000+20.71 грн
2000+17.33 грн
4000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.73 грн
6000+22.56 грн
9000+20.89 грн
30000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.73 грн
6000+22.56 грн
10000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+54.86 грн
100+32.45 грн
500+25.47 грн
1000+23.06 грн
2000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+54.37 грн
100+37.60 грн
500+29.48 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.58 грн
500+21.09 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+36.36 грн
100+21.95 грн
500+18.29 грн
1000+15.60 грн
2500+14.22 грн
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.46 грн
100+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.28 грн
21+38.98 грн
100+26.58 грн
500+21.09 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMKDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
6000+8.87 грн
9000+8.45 грн
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.27 грн
26+31.49 грн
100+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 11547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+11.05 грн
3000+9.11 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7
Код товару: 144828
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 17464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.77 грн
100+17.17 грн
500+12.23 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 48706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
19+17.39 грн
100+9.53 грн
500+5.87 грн
1000+4.35 грн
3000+3.87 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.69 грн
9000+9.36 грн
24000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.21 грн
6000+8.98 грн
9000+8.54 грн
15000+7.55 грн
21000+7.28 грн
30000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+27.35 грн
845+16.78 грн
853+16.62 грн
862+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.69 грн
9000+9.36 грн
24000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 386031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.62 грн
100+17.01 грн
500+12.08 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.19 грн
28+27.35 грн
100+16.18 грн
250+14.84 грн
500+14.11 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
15000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 19322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
25+13.02 грн
100+6.01 грн
500+5.80 грн
1000+4.97 грн
3000+3.93 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]