Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V | на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.7A Power dissipation: 0.42W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm | на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p | на замовлення 51044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1430 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm | на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Inc./Zetex | MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V | на замовлення 915261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V | на замовлення 909000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs | на замовлення 9541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET .2W 50V .16A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 199 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06-7 | DIODES, INC. | MOSFET N-CHAN 50V 350MW SOT-23 | на замовлення 8 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5L06-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW | на замовлення 56536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DWK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 32269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7-01 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT363 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06K | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06K | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 266928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 89563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 89563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 79903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06T-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET .15W 50V .28A | на замовлення 14234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 | на замовлення 4392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VAK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V 280mA | на замовлення 24033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 174791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VK-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family | на замовлення 44408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06VKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5L06W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 31994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V SOT323 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5L06WKQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6010SCTB-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6010SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6010SCTB-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TO263 T&R 0.8K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |