Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S8046GNR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S8046NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9045GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 10W Gain: 22.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 350 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9045NBR1 | на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9045NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6E 45W NI270-2 FET | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9045NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 10W Gain: 22.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 350 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9045NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9046GN | на замовлення 123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9046GNR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV6E 45W GSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9046GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 66V 5-Pin TO-270 W GULL T/R | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9046GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 35.5W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 300 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9046NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-270AB Frequency: 960MHz Power - Output: 35.5W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 300 mA | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9060GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060N | NXP Semiconductors | Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060N | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9060NB | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9060NBR1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9060NR | FREESCALE | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP | Description: NXP - MRFE6S9060NR1 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 470 MHz, 960 MHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 960MHz Betriebsfrequenz, min.: 470MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 Код товару: 86686
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP | FET RF 66V 880MHZ TO270-2 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | NXP | Description: NXP - MRFE6S9060NR1 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 470 MHz, 960 MHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 960MHz Betriebsfrequenz, min.: 470MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125N | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9125N | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 800 MHz, 27 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125NB | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9125NBR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV6E 125W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125NBR1 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9125NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 27W Gain: 20.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 950 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 27W Gain: 20.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 950 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125NR1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9125NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 27W Gain: 20.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 950 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9125NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV6E 125W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130H | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130H | FREESCALE | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MRFE6S9130HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 27W Gain: 19.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 950 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130HR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 130W NI780H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130HR5 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9130HS | на замовлення 396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9130HSR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 130W NI780H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9130HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9135H | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9135HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Bulk Package / Case: SOT-957A Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1GHz Power - Output: 39W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9135HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880 Packaging: Bulk Package / Case: NI-880 Frequency: 940MHz Power - Output: 39W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880 Part Status: Active Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9135HS | FREESC | на замовлення 122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MRFE6S9135HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 940MHz Power - Output: 39W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9135HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9135HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Bulk Package / Case: NI-880S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1GHz Power - Output: 39W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9135HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 66V 940MHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9135HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 135W NI880S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9160H | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9160HR3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9160HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 35W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9160HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 35W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9160HS | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 880 MHz, 35 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9160HS | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9160HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 35W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9160HSR3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9160HSR5 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9160HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 35W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200H | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9200HR | FREESCALE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MRFE6S9200HR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200HR3 | NXP | Description: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200HS | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9200HSR3 | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9200HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9200HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9201HR3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9201HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9201HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9201HS | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9201HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9201HSR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S Frequency: 880MHz Power - Output: 40W Gain: 20.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9205H | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9205HR3 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9205HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9205HS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRFE6S9205HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6S9205HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6S9205HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 880MHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP | Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |

