Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.03 грн
10+96.65 грн
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 12391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.87 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+68.04 грн
100+39.35 грн
500+30.86 грн
1000+26.72 грн
1500+24.58 грн
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
10+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.91 грн
3000+26.55 грн
4500+25.41 грн
7500+22.64 грн
10500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC/GFXNXP USA Inc.Description: PSMN2R2-30YLC/GFX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BSNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R2-40BS - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BS,118NexperiaMOSFET PSMN2R2-40BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN2R2-40BS - 100A, 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 962A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 962A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.76mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R2-40BS - POWE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+117.37 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R2-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.59 грн
10+220.70 грн
50+180.87 грн
100+155.33 грн
250+146.35 грн
500+138.07 грн
1000+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127
Код товару: 72841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.47 грн
10+129.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40PS127NXP USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.0022OHM, N CHANNE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5173 pF @ 20 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+77.11 грн
100+51.77 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5173 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+83.36 грн
100+48.39 грн
500+38.24 грн
1000+33.27 грн
1500+30.72 грн
4500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 140A; Idm: 789A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 789A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 20 V
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.63 грн
100+71.38 грн
500+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 255A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 255 A, 0.0018 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+351.96 грн
100+304.44 грн
500+264.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 255 A, 0.0018 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.54 грн
10+351.96 грн
100+304.44 грн
500+264.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSEJNexperiaMOSFETs SOT1235 100V 255A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-100SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN2R3-100SSJ/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.52 грн
10+326.99 грн
100+261.75 грн
500+193.70 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.11 грн
10+241.19 грн
100+173.23 грн
500+135.37 грн
1000+129.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 2.3 mOhm, 240 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.66 грн
10+219.11 грн
100+149.11 грн
500+133.24 грн
1000+129.78 грн
2000+109.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT1210/MLFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLD115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 114053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.68 грн
3000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.62 грн
3000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.51 грн
16+47.51 грн
25+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+57.56 грн
100+33.69 грн
500+26.23 грн
1000+22.64 грн
1500+20.71 грн
3000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30MLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R4-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 625A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 625A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+79.77 грн
500+71.80 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.24 грн
25+30.54 грн
31+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+54.78 грн
100+31.41 грн
500+24.30 грн
1000+21.33 грн
1500+19.26 грн
3000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.83 грн
100+34.10 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 580A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.54 грн
100+43.12 грн
500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.11 грн
500+31.41 грн
1000+27.20 грн
1500+25.06 грн
4500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.47 грн
100+42.86 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
на замовлення 6741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.34 грн
100+55.44 грн
500+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+80.98 грн
100+46.94 грн
500+37.07 грн
1000+32.03 грн
1500+29.27 грн
3000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+100.27 грн
500+90.25 грн
1000+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.81 грн
3000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 121A; Idm: 682A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 682A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PL127Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.61 грн
10+211.82 грн
100+171.55 грн
500+150.32 грн
1000+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1002A
Power dissipation: 349W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]