Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.10 грн
6000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+43.97 грн
100+29.97 грн
500+21.97 грн
1000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 9300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.18 грн
4000+17.43 грн
6000+17.12 грн
10000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 9300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.73 грн
6000+22.56 грн
9000+20.89 грн
30000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+54.37 грн
100+37.60 грн
500+29.48 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.73 грн
6000+22.56 грн
10000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.46 грн
100+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMKDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 11547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7
Код товару: 144828
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.19 грн
28+27.35 грн
100+16.18 грн
250+14.84 грн
500+14.11 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 290433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.29 грн
25+25.19 грн
50+20.68 грн
100+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.69 грн
9000+9.36 грн
24000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+27.35 грн
845+16.78 грн
853+16.62 грн
862+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.62 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.69 грн
9000+9.36 грн
24000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 48706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWK-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
15000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9804+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 9804 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 102202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
26+11.74 грн
100+6.43 грн
500+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6289+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 6289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 9434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7
Код товару: 148089
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3394+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.37 грн
107+3.91 грн
139+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 11490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601LT-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601LT-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601LTQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601LTQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
6000+6.36 грн
9000+6.07 грн
15000+5.38 грн
21000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+25.67 грн
978+14.51 грн
989+14.34 грн
1148+11.91 грн
1803+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 25347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
18+17.05 грн
100+11.48 грн
500+8.35 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 18986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.59 грн
30+25.67 грн
100+13.99 грн
250+12.80 грн
500+10.59 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TKQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 343mA; 500mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 343mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TKQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
6000+3.13 грн
9000+2.95 грн
15000+2.57 грн
21000+2.46 грн
30000+2.35 грн
75000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 382731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.13 грн
500+6.36 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+4.43 грн
9000+4.18 грн
15000+3.67 грн
21000+3.52 грн
30000+3.37 грн
75000+3.00 грн
150000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 538440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.47 грн
100+9.34 грн
500+7.77 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
9000+6.43 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
6000+5.64 грн
9000+5.00 грн
30000+4.63 грн
75000+3.93 грн
150000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
9000+6.43 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.