Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN601K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | на замовлення 11490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 Код товару: 148089
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 184 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 403 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 102202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601K-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601LT-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601LT-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601LTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601LTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | на замовлення 18986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 25347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601TKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601TKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 343mA; 500mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT523 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.51nC Drain current: 343mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 2Ω Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601TKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VK | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601VK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1527000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Channel | на замовлення 5617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 382731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 538440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 414 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | на замовлення 8862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 6089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 Код товару: 178551
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN6022SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 19939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 13136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.66W Case: U-DFN2020-6 Type E Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 75080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 7469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 81154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

