Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.72 грн
10+107.12 грн
100+72.73 грн
500+53.92 грн
1000+45.70 грн
5000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+94.07 грн
500+84.66 грн
1000+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.65 грн
6000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+94.07 грн
500+84.66 грн
1000+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.73 грн
500+53.92 грн
1000+45.70 грн
5000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183onsemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 39070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+90.50 грн
100+51.78 грн
500+46.53 грн
1000+43.91 грн
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+146.08 грн
100+71.11 грн
500+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.79 грн
10+176.24 грн
100+111.20 грн
500+98.35 грн
1000+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200
Код товару: 185473
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.54 грн
10+146.96 грн
100+102.14 грн
500+77.86 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
963+112.35 грн
Мінімальне замовлення: 963 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.48 грн
10+144.17 грн
100+115.17 грн
500+89.00 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.53 грн
81+176.81 грн
128+111.56 грн
500+98.66 грн
1000+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.01 грн
250+127.85 грн
500+110.62 грн
1000+101.20 грн
3000+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.45 грн
10+157.19 грн
100+95.27 грн
500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2999+169.25 грн
Мінімальне замовлення: 2999 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.91 грн
6000+96.65 грн
9000+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemi / FairchildMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.01 грн
10+273.89 грн
25+237.48 грн
100+189.15 грн
500+164.99 грн
1000+153.26 грн
3000+140.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.96 грн
10+231.32 грн
100+173.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+226.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.62 грн
10+231.82 грн
100+151.88 грн
500+148.42 грн
1000+142.21 грн
3000+126.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+225.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.93 грн
10+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200EonsemiDescription: FET 150V 18.0 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+158.62 грн
100+110.64 грн
500+84.61 грн
1000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.67 грн
10+162.69 грн
100+124.03 грн
500+96.48 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemi / FairchildMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+103.21 грн
100+75.25 грн
500+74.56 грн
1000+72.49 грн
3000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON Semiconductor
на замовлення 19815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 25835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.95 грн
10+168.31 грн
100+102.17 грн
500+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiMOSFETs CCI MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON Semiconductor
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+222.49 грн
100+158.88 грн
500+142.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.38 грн
500+170.51 грн
1000+151.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.92 грн
10+270.61 грн
100+205.38 грн
500+170.51 грн
1000+151.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.20 грн
10+302.14 грн
100+224.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiMOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.04 грн
10+316.76 грн
100+216.08 грн
500+205.72 грн
1000+194.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+355.99 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86204 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.59 грн
6000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.67 грн
500+33.21 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+60.97 грн
100+35.14 грн
500+27.48 грн
1000+24.99 грн
3000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.02 грн
149+95.44 грн
200+86.94 грн
500+68.71 грн
1000+59.40 грн
2000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+83.91 грн
100+56.50 грн
500+42.01 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
12+68.62 грн
100+45.67 грн
500+33.21 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.94 грн
199+71.25 грн
214+66.53 грн
500+52.12 грн
1000+43.79 грн
2000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622-NConsemiMOSFETs FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+80.18 грн
100+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+166.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 35447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]