Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.98 грн
10+142.09 грн
25+140.66 грн
100+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.20 грн
10+173.14 грн
100+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.98 грн
100+142.09 грн
101+140.66 грн
138+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.20 грн
82+173.14 грн
112+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.77 грн
100+91.67 грн
500+69.53 грн
1000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.21 грн
5+150.96 грн
10+132.51 грн
50+98.96 грн
100+88.06 грн
250+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.23 грн
10+160.15 грн
25+155.25 грн
50+148.20 грн
100+100.01 грн
250+95.08 грн
500+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.23 грн
89+160.15 грн
92+155.25 грн
93+148.20 грн
127+100.01 грн
250+95.08 грн
500+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+260.68 грн
300+255.14 грн
500+216.31 грн
1000+203.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.15 грн
75000+103.39 грн
150000+96.20 грн
225000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.71 грн
10+273.55 грн
100+241.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 18330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 153356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+248.24 грн
6000+227.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.98 грн
71+199.71 грн
100+190.21 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 70685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.20 грн
10+248.48 грн
100+177.94 грн
500+150.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+185.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
100+274.00 грн
250+268.45 грн
500+247.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+204.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+341.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.73 грн
126000+159.52 грн
252000+149.20 грн
378000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+361.84 грн
103+346.52 грн
500+332.37 грн
1000+302.32 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.03 грн
78+181.51 грн
79+179.72 грн
100+165.75 грн
250+151.96 грн
500+142.24 грн
1000+140.79 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+361.84 грн
103+346.52 грн
500+332.37 грн
1000+302.32 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.51 грн
10+318.67 грн
100+234.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+361.84 грн
103+346.52 грн
500+332.37 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.09 грн
65+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.55 грн
83+171.61 грн
100+144.26 грн
500+130.02 грн
1000+112.81 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONS/FAIMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.09 грн
10+220.58 грн
100+161.08 грн
500+138.21 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.15 грн
10+161.24 грн
25+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+142.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.03 грн
6000+127.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.15 грн
88+161.24 грн
90+157.28 грн
100+147.75 грн
250+133.27 грн
500+124.54 грн
1000+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.81 грн
99+143.32 грн
102+139.55 грн
500+133.66 грн
1000+122.63 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+226.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.88 грн
6000+128.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+140.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+184.47 грн
100+129.76 грн
500+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.32 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+231.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P-23507XonsemiDescription: FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.54 грн
50+117.34 грн
100+99.48 грн
500+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.21 грн
16+48.14 грн
25+45.95 грн
100+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.