Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2712-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712-YLXGF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712.Y | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC2712<YGR>-TLB | ROHM | SOT23 | на замовлення 1862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712BL | TOS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2712BLTE85LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712BLTE85LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712GR | TOSHIBA | на замовлення 111000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2712GR(T5LFJTNF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1220 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712GRT5LT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712GT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712GT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 221980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712GT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 221980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712GT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC2712GT1G - 2SC2712GT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 221980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2712S-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712S-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712S-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712SYLF | Toshiba | Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712Y | Toshiba | SOT23 XPB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712Y | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2712Y(LY) | KEC | SOT23 | на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2712YT5LT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2713 | TOSHIBA | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2713-BL(T5LFT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85L,F | TOSHIBA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 350...700 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar | на замовлення 620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-BL(TE85R,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 51901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF(B | Toshiba | 2SC2713-BL,LF(B | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 736 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2713-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 19524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-BL,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2713-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 23039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR(T5L,F,T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR(T5LFT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 11720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | на замовлення 10543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 439 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 26401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 26401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF(T | TOSHIBA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 200...400 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar | на замовлення 8300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GR,LXGF(T | Toshiba | Silicon NPN Epitaxial Type Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713-GRLF(T | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2713-GRTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans | на замовлення 18225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713BLTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2713GR | TOSHIBA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2714 | N/A | 08+ SOT-23 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-0 | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2714-O | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-O(T5L.T) | TOSHIBA | SOT23-QO | на замовлення 4844 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Frequency - Transition: 550MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Power - Max: 100mW Gain: 23dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Frequency - Transition: 550MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Power - Max: 100mW Gain: 23dB Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba | Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW | на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2714-O/QO | TOSHIBA | 0927+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Q(QQ) | на замовлення 4477 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC2714-QY | 07+ SOT-23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2714-R | TOSHIBA | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(HF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y | N/A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC2714-Y(T5LFT) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(T5LSONY) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(HF),DISCON,DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-01), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(HF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 550MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V | на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 550MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC2714-Y(TE85R) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 1112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714-Y/QY | N/A | SOT-23 05+ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2714O | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC2714Y | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC2714YTE85L | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 1320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715 | N/A | 08+ SOT-23 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O(F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O(T5LMITMF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O(T5LSONYF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-O,LF(J | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-Y | N/A | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-Y(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC2715-Y(T5LMDNSF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

