Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMPH2040UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+41.44 грн
100+23.06 грн
500+16.98 грн
1000+14.91 грн
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1644000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
10+33.21 грн
100+23.11 грн
500+16.93 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.44 грн
500+34.63 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
50+71.44 грн
100+47.44 грн
500+34.63 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.68 грн
100+39.58 грн
500+29.02 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+59.07 грн
100+34.10 грн
500+27.06 грн
1000+24.65 грн
2500+21.40 грн
5000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH33M8SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH33M8SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH33M8SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH33M8SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSW-13Diodes Zetex40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4009SSSQ-13Diodes Zetex40V 175 Degree P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -56A; Idm: -316A; 3.7W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -316A
Drain current: -56A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4497 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
50+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -56A; Idm: -316A; 3.7W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -316A
Drain current: -56A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4497 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+90.50 грн
100+76.63 грн
2500+36.93 грн
10000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+104.70 грн
100+90.20 грн
500+70.22 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4011SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+70.22 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.67 грн
13+62.74 грн
100+44.22 грн
500+30.51 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.64 грн
5000+37.16 грн
12500+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.02 грн
100+48.16 грн
500+35.60 грн
1000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+30.51 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 26408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+73.04 грн
100+44.60 грн
500+35.14 грн
1000+32.10 грн
2500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.56 грн
500+39.19 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+71.80 грн
100+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
11+75.63 грн
100+53.56 грн
500+39.19 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPS-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPS-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.77 грн
100+67.84 грн
500+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -277A; 3.3W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -277A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSWQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.77 грн
100+43.23 грн
500+31.88 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.98 грн
5000+25.01 грн
7500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.45 грн
13+63.30 грн
100+44.70 грн
500+40.68 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.59 грн
100+38.21 грн
500+28.04 грн
1000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.70 грн
500+40.68 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.96 грн
5000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38  Наступна Сторінка >> ]