Продукція > SI3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
14+58.71 грн
100+38.66 грн
500+29.77 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.50 грн
100+34.62 грн
500+25.25 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.66 грн
500+29.77 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
на замовлення 18562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.97 грн
100+32.10 грн
500+24.92 грн
1000+22.71 грн
3000+18.85 грн
6000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.08 грн
6000+19.68 грн
9000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsDescription: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port ControllersSi3480-A01-GM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsQFN 20/I°/8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controller SI3480
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsQFN 20/I°/8-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CONTROLLER SI3480QFN
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsDescription: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSilicon Labs-40 TO 85 OC/8-PORT POWER MANAGER EVAL KIT TO BE USED WITH SI3452/3 PSE POR EVALKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: Si3452, Si3480, Si3500
Type: Power Management
Function: Power Over Ethernet (POE), PSE
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSilicon LabsPower Management IC Development Tools 8p Pwr Mngr Eval Kit Si3452/3PSE Prt Ctrl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE)
Internal Switch(s): No
Current - Supply: 12.1mA
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Power Manager
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSilicon LabsQFN 24/I°/12/24/48-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CON SI3482QFN
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMRSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Power Manager
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Supply: 12.1mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE)
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Auxiliary Sense: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483-A02-GMSilicon Labs / BluegigaHot Swap Voltage Controllers 64 Port PSE Power Manager IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+58.86 грн
100+44.43 грн
500+32.72 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.1A
на замовлення 36544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+40.94 грн
500+32.10 грн
1000+29.34 грн
3000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.55 грн
50+50.02 грн
100+43.25 грн
500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+54.59 грн
100+43.53 грн
500+32.72 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 14064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+59.22 грн
100+36.31 грн
500+31.55 грн
1000+26.92 грн
3000+24.37 грн
6000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 34905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.26 грн
10+42.31 грн
100+29.48 грн
500+27.61 грн
1000+26.44 грн
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.87 грн
24+32.13 грн
25+31.94 грн
100+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 79840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+58.78 грн
100+44.43 грн
500+32.72 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.38 грн
42000+17.71 грн
63000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
6000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.49 грн
10+44.21 грн
100+33.57 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
6000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 9742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+31.19 грн
100+21.22 грн
500+16.13 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 52306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
10+34.38 грн
100+19.40 грн
500+14.84 грн
1000+12.22 грн
3000+10.70 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.80 грн
20+40.91 грн
100+26.50 грн
500+18.92 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
6000+11.43 грн
9000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 47725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+35.17 грн
100+20.16 грн
500+15.81 грн
1000+13.46 грн
3000+12.22 грн
6000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 21718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.65 грн
50+36.81 грн
100+26.50 грн
500+18.92 грн
1500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.53 грн
100+21.07 грн
500+15.11 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 21718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
500+18.92 грн
1500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMRSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7A
на замовлення 17338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+59.14 грн
100+34.10 грн
500+26.65 грн
1000+24.23 грн
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VISHAY09+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.30 грн
6000+27.55 грн
9000+26.37 грн
15000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.17 грн
6000+22.48 грн
9000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.33 грн
6000+28.23 грн
9000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.97W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.27 грн
100+36.45 грн
500+28.51 грн
1000+25.96 грн
3000+21.68 грн
6000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]