Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+104.79 грн
100+67.65 грн
500+66.48 грн
3000+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.79 грн
10+152.43 грн
3000+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.44 грн
16+48.24 грн
25+46.05 грн
100+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.14 грн
10+156.25 грн
100+117.59 грн
500+99.47 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 43377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.65 грн
10+153.22 грн
100+89.05 грн
500+84.91 грн
1000+82.84 грн
3000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+157.20 грн
100+110.10 грн
500+91.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiMOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 38403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+162.75 грн
100+100.10 грн
500+87.67 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.69 грн
6000+101.17 грн
9000+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+147.55 грн
100+102.59 грн
500+78.25 грн
1000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.45 грн
10+158.78 грн
100+95.96 грн
500+78.70 грн
1000+77.32 грн
3000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+148.46 грн
100+89.74 грн
500+77.32 грн
1000+76.63 грн
3000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 96W
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.01 грн
6000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310-01ON SemiconductorFDMS86310-01
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+152.38 грн
1000+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.28 грн
476+29.81 грн
484+29.33 грн
492+27.83 грн
500+25.34 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+106.87 грн
100+72.86 грн
500+54.74 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.63 грн
10+116.70 грн
100+69.72 грн
500+55.37 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.94 грн
500+101.64 грн
1000+93.74 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemi / FairchildMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
10+47.55 грн
3000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.28 грн
26+29.81 грн
100+28.29 грн
250+25.77 грн
500+24.32 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.55 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.84 грн
10+109.13 грн
25+107.42 грн
100+101.93 грн
250+92.85 грн
500+87.67 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+137.01 грн
100+95.21 грн
500+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+133.37 грн
100+88.36 грн
500+78.70 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.84 грн
130+109.13 грн
132+107.42 грн
135+101.93 грн
250+92.85 грн
500+87.67 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.03 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+234.20 грн
100+144.97 грн
500+128.40 грн
1000+125.64 грн
3000+119.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.30 грн
68+208.84 грн
100+175.77 грн
200+158.56 грн
500+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.86 грн
10+232.56 грн
25+180.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.57 грн
500+159.30 грн
1000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+282.56 грн
62+229.64 грн
200+173.88 грн
500+165.78 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.60 грн
10+220.62 грн
100+156.87 грн
500+129.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+294.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.81 грн
10+273.84 грн
100+204.57 грн
500+159.30 грн
1000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+298.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.69 грн
5+447.00 грн
10+380.15 грн
50+299.15 грн
100+252.66 грн
250+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.82 грн
10+282.63 грн
100+213.32 грн
1000+209.86 грн
3000+193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+454.36 грн
38+373.18 грн
100+307.09 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+252.66 грн
250+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.98 грн
10+327.08 грн
100+235.41 грн
500+228.50 грн
1000+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.88 грн
10+349.78 грн
100+255.55 грн
500+203.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.60 грн
500+91.53 грн
1000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.60 грн
500+91.53 грн
1000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 80A, 4.5 mO
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369onsemiMOSFET FET 80V 7.5MOHM PQFN8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369onsemiDescription: FET 80V 7.5MOHM PQFN8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (5.2x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 80V 7.5 MOHM
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]