Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86500DConsemiMOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemi / FairchildMOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
10+221.98 грн
50+173.37 грн
100+148.01 грн
500+129.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONS/FAIN-Ch, 60V, 25A, PQFN-8(5X6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+170.88 грн
50+132.04 грн
100+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+149.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+114.34 грн
500+114.06 грн
1000+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LEonsemiDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.88 грн
235+60.28 грн
257+55.22 грн
259+52.71 грн
500+46.89 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+102.13 грн
500+91.92 грн
1000+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.19 грн
200+70.76 грн
208+68.05 грн
500+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.76 грн
100+68.05 грн
500+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+78.53 грн
500+75.19 грн
1000+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.63 грн
13+60.88 грн
25+60.28 грн
100+53.24 грн
250+48.80 грн
500+45.02 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 6213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.39 грн
50+85.37 грн
100+71.94 грн
500+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520-01ON SemiconductorFDMS86520-01
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+101.86 грн
500+91.68 грн
1000+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiDescription: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+127.86 грн
100+88.07 грн
500+66.67 грн
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.73 грн
5+115.73 грн
10+103.15 грн
25+88.06 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.48 грн
10+132.51 грн
100+103.45 грн
500+90.03 грн
1000+81.50 грн
3000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiDescription: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.00 грн
6000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+112.01 грн
50+85.23 грн
100+71.89 грн
500+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+527.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+404.27 грн
100+384.23 грн
500+364.20 грн
1000+331.87 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.16 грн
10+361.99 грн
100+264.93 грн
500+242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+351.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+218.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+305.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550-01ON SemiconductorFDMS86550-01
на замовлення 11597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.58 грн
500+209.80 грн
1000+198.01 грн
10000+179.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+484.41 грн
100+459.66 грн
500+436.09 грн
1000+396.65 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.56 грн
10+380.71 грн
100+346.69 грн
500+330.98 грн
1000+305.69 грн
3000+273.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+484.41 грн
100+459.66 грн
500+436.09 грн
1000+396.65 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.81 грн
10+420.41 грн
100+311.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+484.41 грн
100+459.66 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60-01ON SemiconductorFDMS86550ET60-01
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 297012000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 65A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86580-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86580-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
на замовлення 30900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+86.72 грн
100+67.45 грн
500+53.65 грн
1000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86581 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiMOSFETs NMOS PWR56 60V 15 M OHM
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.