Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.23 грн
1000+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 18901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.23 грн
1000+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 16619000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.11 грн
500+133.87 грн
1500+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+152.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+343.10 грн
50+225.51 грн
100+165.11 грн
500+133.87 грн
1500+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.90 грн
10+225.51 грн
100+179.12 грн
500+163.41 грн
1000+146.95 грн
3000+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
10+208.43 грн
100+147.74 грн
500+120.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
500+181.91 грн
1000+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemi / FairchildMOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+198.47 грн
100+124.95 грн
500+118.74 грн
1000+112.53 грн
3000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+152.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.00 грн
500+116.67 грн
1500+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+114.59 грн
500+114.32 грн
1000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+299.61 грн
50+194.91 грн
100+149.00 грн
500+116.67 грн
1500+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONS/FAIN-Ch, 60V, 25A, PQFN-8(5X6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+160.42 грн
100+112.02 грн
500+85.71 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+149.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500LEonsemiDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+78.71 грн
500+75.35 грн
1000+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+51.36 грн
100+42.80 грн
500+42.59 грн
1000+41.77 грн
3000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.63 грн
11+72.74 грн
25+72.01 грн
100+64.11 грн
250+58.77 грн
500+56.41 грн
1000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+102.35 грн
500+92.13 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 59832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.42 грн
10+101.79 грн
100+69.28 грн
500+51.96 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.89 грн
6000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520-01ON SemiconductorFDMS86520-01
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+102.09 грн
500+91.88 грн
1000+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.69 грн
10+131.90 грн
100+102.99 грн
500+89.63 грн
1000+82.16 грн
3000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiDescription: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.34 грн
5+114.67 грн
10+102.21 грн
25+87.25 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.86 грн
10+107.18 грн
100+58.40 грн
500+57.51 грн
1000+56.47 грн
3000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+104.00 грн
100+69.72 грн
500+61.16 грн
1000+58.26 грн
3000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LonsemiDescription: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.48 грн
10+126.69 грн
100+87.26 грн
500+66.05 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.89 грн
467+30.40 грн
474+29.91 грн
482+28.37 грн
500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.15 грн
6000+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.10 грн
500+54.97 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+88.92 грн
100+61.37 грн
250+61.23 грн
500+54.40 грн
1000+52.26 грн
3000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.40 грн
100+28.84 грн
250+26.27 грн
500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+108.73 грн
100+74.10 грн
500+54.97 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+114.32 грн
100+68.27 грн
500+54.26 грн
1000+49.91 грн
3000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+108.67 грн
100+74.17 грн
500+55.76 грн
1000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+110.01 грн
500+99.02 грн
1000+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.98 грн
10+397.74 грн
100+280.28 грн
500+248.52 грн
1000+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
10+358.68 грн
100+262.50 грн
500+240.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+382.72 грн
100+363.82 грн
500+344.92 грн
1000+313.24 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+216.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+305.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+306.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550-01ON SemiconductorFDMS86550-01
на замовлення 11597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
500+210.26 грн
1000+198.45 грн
10000+179.97 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.82 грн
5+531.56 грн
10+433.30 грн
50+352.25 грн
100+265.09 грн
250+262.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+464.23 грн
100+440.61 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.96 грн
10+416.56 грн
100+308.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+464.23 грн
100+440.61 грн
500+418.16 грн
1000+380.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+433.30 грн
50+352.25 грн
100+265.09 грн
250+262.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.02 грн
10+385.04 грн
100+269.23 грн
500+265.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+333.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+464.23 грн
100+440.61 грн
500+418.16 грн
1000+380.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60-01ON SemiconductorFDMS86550ET60-01
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
500+181.91 грн
1000+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]