Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86581ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8660AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 134017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 15 V
на замовлення 134017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660Sonsemi / FairchildMOSFET 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiMOSFETs 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SFSC
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660S(транзистор)
Код товару: 61186
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3940 pF @ 15 V
на замовлення 74504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASONS/FAIMOSFET 30V N-Channel PowerTrench Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8670AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 22348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 15 V
на замовлення 18418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670AS Fairchild
Код товару: 116187
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.65 грн
10+118.12 грн
25+116.97 грн
100+84.87 грн
250+75.52 грн
500+62.93 грн
1000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8672ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 34183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8672SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2515 pF @ 15 V
на замовлення 13015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674
Код товару: 129280
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8674 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 147879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 147879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.60 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.14 грн
407+34.79 грн
411+34.44 грн
412+33.15 грн
413+30.61 грн
500+29.18 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.67 грн
14+55.91 грн
25+53.10 грн
100+48.41 грн
250+45.74 грн
500+45.02 грн
1000+44.29 грн
3000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+131.94 грн
100+106.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.60 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 425565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 62002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 62002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692SFAIRCHIL2004
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692_F121onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.54 грн
6000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemi / FairchildMOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.52 грн
100+52.11 грн
500+38.69 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8848NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.8A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 20 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8848NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8848NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8860ASFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 1031 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888
Код товару: 121291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15ConsemiMOSFETs FET ENGR DEV-NOT REL
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.27 грн
84+170.16 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+220.70 грн
100+156.88 грн
500+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408ON SemiconductorFDMS9408
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085-DON SemiconductorFDMS9408-F085-D
на замовлення 21705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.21 грн
500+90.19 грн
1000+83.17 грн
10000+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A NChnl Logic Level Power Trench
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 300036000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.