Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS9410L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 550A NChnl LL Power Trench MOSFET
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 740A N-Ch Power Trench MOSFET
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NChnl LogicLevel Power Trench MOSFET
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600Sonsemi / FairchildMOSFET 30V PowerTrench
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.02 грн
12+68.14 грн
25+64.32 грн
50+58.61 грн
100+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
10000+51.28 грн
100000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S
Код товару: 57035
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 13769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
10000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08Bonsemi / FairchildMOSFETs MV7 80V N chDualCool PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.48 грн
10+332.78 грн
100+243.67 грн
500+201.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 864A
Power dissipation: 178W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.39mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 989A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 111nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+521.24 грн
32+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.97 грн
10+358.22 грн
100+331.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.24 грн
10+447.59 грн
25+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemiMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCOn SemiconductorMOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+520.95 грн
100+495.02 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC-22897onsemiMOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC-22897onsemiDescription: FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.43 грн
10+347.43 грн
100+266.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+226.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 81A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 767A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemi / FairchildMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC-22897onsemiMOSFET FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC-22897onsemiDescription: FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiMOSFETs N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 108nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+265.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.59 грн
10+421.09 грн
50+337.81 грн
100+293.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC-22897onsemiDescription: FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC-22897onsemiMOSFET FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.16 грн
10+342.75 грн
100+250.27 грн
500+203.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 413A
Power dissipation: 113W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
10+370.67 грн
100+299.48 грн
500+272.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 265A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 2644A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 338nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.96 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemiMOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.84 грн
10+409.12 грн
25+404.98 грн
100+350.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.25 грн
10+428.36 грн
25+420.82 грн
100+327.41 грн
250+284.39 грн
500+256.12 грн
1000+225.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.81 грн
10+440.27 грн
50+353.51 грн
100+308.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.72 грн
38+375.37 грн
100+355.96 грн
250+324.12 грн
500+305.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+278.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiMOSFETs 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.72 грн
10+381.50 грн
25+375.37 грн
100+355.96 грн
250+324.12 грн
500+305.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.27 грн
10+244.40 грн
25+240.63 грн
100+228.31 грн
250+207.94 грн
500+196.39 грн
1000+193.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+293.99 грн
50+232.20 грн
100+199.25 грн
500+185.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 224220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+287.58 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 273nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+287.58 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.27 грн
58+244.40 грн
59+240.63 грн
100+228.31 грн
250+207.94 грн
500+196.39 грн
1000+193.08 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMW2512NZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 65743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.