Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 297012000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86568_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 65A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86569_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86580-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86580-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiMOSFETs NMOS PWR56 60V 15 M OHM
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+98.44 грн
100+59.51 грн
500+47.36 грн
1000+42.59 грн
3000+40.11 грн
6000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
на замовлення 30900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+85.93 грн
100+66.83 грн
500+53.16 грн
1000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86581 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581-F085onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 134017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8660AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 134017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiMOSFETs 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660Sonsemi / FairchildMOSFET 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660SFSC
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8660S(транзистор)
Код товару: 61186
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 74504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASONS/FAIMOSFET 30V N-Channel PowerTrench Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8670AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 22348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 18418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670AS Fairchild
Код товару: 116187
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.96 грн
10+118.38 грн
25+117.23 грн
100+85.06 грн
250+75.68 грн
500+63.07 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SFAIRCHILD10+ POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8672ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 34183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8672SFAIRCHILD1010+ POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8672SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
на замовлення 13015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674
Код товару: 129280
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8674 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 147879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 147879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8674FSC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+120.67 грн
100+79.39 грн
250+68.90 грн
500+66.27 грн
1000+59.09 грн
3000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.65 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.65 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+130.73 грн
100+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.22 грн
407+34.87 грн
411+34.52 грн
412+33.22 грн
413+30.68 грн
500+29.25 грн
1000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.85 грн
14+56.04 грн
25+53.22 грн
100+48.52 грн
250+45.85 грн
500+45.12 грн
1000+44.39 грн
3000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.63 грн
10+121.62 грн
100+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 425565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8690FAI06+
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 62002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 62002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692SFAIRCHIL2004
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8692_F121onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.22 грн
6000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+76.81 грн
100+51.63 грн
500+38.33 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820onsemi / FairchildMOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+70.34 грн
100+41.90 грн
500+36.73 грн
1000+32.86 грн
3000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8848NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.8A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 20 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8848NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8848NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8860ASFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 1031 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.20 грн
10+58.03 грн
100+44.32 грн
500+37.07 грн
1000+31.55 грн
3000+21.81 грн
6000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888
Код товару: 121291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.50 грн
10+218.68 грн
100+155.44 грн
500+127.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CONN
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.66 грн
84+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]