Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 18504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+360.90 грн
50+233.29 грн
250+169.07 грн
1000+135.11 грн
3000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 18504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.29 грн
250+169.07 грн
1000+135.11 грн
3000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 1400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.28 грн
250+148.75 грн
1000+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 1400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+308.07 грн
50+207.28 грн
250+148.75 грн
1000+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA2Infineon Technologies IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.86 грн
67+212.15 грн
68+208.29 грн
100+182.94 грн
250+165.60 грн
500+147.01 грн
1000+137.72 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+212.97 грн
250+150.38 грн
1000+113.22 грн
3000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+243.98 грн
60+239.26 грн
100+218.05 грн
500+185.25 грн
1000+169.43 грн
2000+150.53 грн
5000+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+143.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+317.01 грн
50+212.97 грн
250+150.38 грн
1000+113.22 грн
3000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+121.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.44 грн
10+201.23 грн
100+142.09 грн
500+113.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.89 грн
10+209.92 грн
100+128.89 грн
500+110.08 грн
1000+109.39 грн
2500+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+121.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.86 грн
10+212.15 грн
25+208.29 грн
100+182.94 грн
250+165.60 грн
500+147.01 грн
1000+137.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIInfineon technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+88.94 грн
100+53.30 грн
500+45.15 грн
1000+37.76 грн
2500+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.81 грн
10+80.92 грн
100+51.56 грн
500+40.97 грн
1000+38.39 грн
2500+37.90 грн
5000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.10 грн
250+67.14 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.61 грн
137+103.61 грн
163+86.98 грн
200+79.22 грн
500+64.19 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.75 грн
50+95.10 грн
250+67.14 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.03 грн
100+69.58 грн
500+51.85 грн
1000+47.53 грн
2000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
13+62.67 грн
100+48.28 грн
500+39.48 грн
1000+35.53 грн
5000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.71 грн
100+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 33A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 33A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.30 грн
10+104.96 грн
100+73.85 грн
500+62.08 грн
1000+49.26 грн
2500+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.97 грн
10+139.49 грн
25+138.10 грн
100+105.64 грн
250+96.84 грн
500+79.08 грн
1000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.28 грн
500+39.48 грн
1000+35.53 грн
5000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.39 грн
10+120.18 грн
100+71.07 грн
500+60.55 грн
1000+53.16 грн
2500+50.30 грн
5000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 13289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 23213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+111.22 грн
500+100.10 грн
1000+92.32 грн
10000+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.39 грн
10+120.18 грн
100+71.07 грн
500+60.55 грн
1000+53.16 грн
2500+52.39 грн
5000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+111.22 грн
500+100.10 грн
1000+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+111.22 грн
500+100.10 грн
1000+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.37 грн
10+104.16 грн
100+65.98 грн
250+64.87 грн
500+52.74 грн
1000+44.87 грн
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGInfineon
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.11 грн
120+117.92 грн
151+94.17 грн
250+89.88 грн
500+70.04 грн
1000+53.80 грн
3000+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.88 грн
10+119.11 грн
25+117.92 грн
100+90.80 грн
250+83.22 грн
500+67.24 грн
1000+53.80 грн
3000+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LS GInfineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.48 грн
10+157.84 грн
100+105.21 грн
500+87.79 грн
1000+84.30 грн
5000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LS GInfineonTrans MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGInfineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.97 грн
10+145.02 грн
100+87.09 грн
500+72.46 грн
1000+68.91 грн
5000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.36 грн
73+195.61 грн
100+188.98 грн
250+176.70 грн
500+159.16 грн
1000+149.06 грн
2500+145.77 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NS
Код товару: 165006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.50 грн
250+108.11 грн
1000+80.01 грн
3000+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.07 грн
10000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.15 грн
87+163.56 грн
112+127.14 грн
500+103.72 грн
1000+92.29 грн
2000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+132.01 грн
1000+121.40 грн
10000+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.47 грн
50+145.50 грн
250+108.11 грн
1000+80.01 грн
3000+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 21169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+137.37 грн
100+94.91 грн
500+72.04 грн
1000+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]