Продукція > BSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSM15GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2EEUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224
Код товару: 31717
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224InfineonIGBT 1200V 25A 145W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224EPCOSSOP16
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224(6)SIEMENS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224BDLA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 145000mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
на замовлення 255 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD12ODN2module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD12ODN2E3224module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD60DLCEUPECMODULE
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD60DN1SIEMENS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD60DN2EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 15A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120 (транзистори IGBT)
Код товару: 45798
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120B2EUPECMODULE
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120B2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120B2BPSA1Infineon TechnologiesBSM15GP120B2BPSA1
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12676.16 грн
100+12042.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 180W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP120BOSA1 - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6587.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120DN2EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP120_B2 (транзистори IGBT)
Код товару: 47851
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60
Код товару: 192536
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60Infineon TechnologiesIGBT Modules 600V 15A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP60BOSA1 - BSM15GP60 IGBT MOD 600V 25A 100W MODULE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6372.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5619.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P2E202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38872.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P2E202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46667.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P2E202ROHM SemiconductorMOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P3C202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39768.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P3C202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41441.85 грн
10+38406.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180C12P3C202ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2C101ROHM SemiconductorMOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2C101Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1130W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41325.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Power - Max: 1360W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55269.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002ROHMDescription: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35900.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002ROHM SemiconductorMOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P3C007ROHM SemiconductorMOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P3C007Rohm SemiconductorDescription: SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 880W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39654.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM181EUPECMODULE
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM181
Код товару: 104593
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM181AREUPECMODULE
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM181Fmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM181REUPECMODULE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM191module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM191FSIEMENS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM195GAL124DNEUPECA4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM2-CPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM2-XPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA100DSEMIKRONA4-2
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA100D А¶Й«SIEMENS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA100DN1EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA100DN11EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCEUPECMODULE
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCHOSA1 - BSM200GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16043.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1450 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12258.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
25+19554.52 грн
100+18949.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
25+19554.52 грн
100+18949.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
25+19554.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSEUPECMODULE
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
25+19554.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20159.20 грн
25+19554.52 грн
100+18949.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCSHOSA1 - BSMXGA120H IGBT MOD 1.2KV 370A 1.45KW M
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16043.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12258.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN11EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN11Smodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN11А¶Й«SIEMENS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2
Код товару: 114507
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2(DLC)SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2,EUPEC IGBT200A1200V1U
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2CEUPECSOT353
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2CInfineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FEUPECMODULE
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FSInfineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FSROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DN2FS - BSM200GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FS
Код товару: 30883
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FS-E3256
Код товару: 151819
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2FS_E3256Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 300A 1550W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]