Продукція > FGH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.38 грн
10+423.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.68 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.84 грн
5+546.23 грн
10+444.63 грн
50+379.66 грн
100+338.61 грн
250+326.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDonsemiIGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120RWDonsemiDescription: FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L
Packaging: Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
10+325.54 грн
450+202.33 грн
900+188.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120RWDonsemiIGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120SWDonsemiIGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120SWDonsemiDescription: 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
Power - Max: 384 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 148 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.52mJ (on), 1.13mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26.8ns/121.6ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 192.54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+310.74 грн
450+192.30 грн
900+177.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.00 грн
10+486.08 грн
25+451.48 грн
100+388.03 грн
450+362.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.02 грн
5+517.78 грн
10+388.54 грн
50+342.67 грн
100+298.89 грн
250+292.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+221.08 грн
30+200.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.33 грн
10+186.95 грн
100+159.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+350.43 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDonsemiIGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 110A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+533.77 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.90 грн
30+466.00 грн
120+397.33 грн
510+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50ON SemiconductorIGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop IV, MQ Medium Speed
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+586.48 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 180 nC
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 70 nC
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2FAIRCHILDFGH50N6S2
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+595.21 грн
100+565.74 грн
500+536.27 грн
1000+487.57 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+402.42 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+793.79 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1138.55 грн
100+1081.98 грн
500+1024.23 грн
1000+933.09 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DONS/FAIIGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+213.49 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.49 грн
3+260.82 грн
10+230.63 грн
30+207.99 грн
120+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 35009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.12 грн
30+196.50 грн
120+162.87 грн
510+129.72 грн
1020+123.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+194.61 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDON SemiconductorТранзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.91 грн
30+282.84 грн
120+254.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDonsemiIGBTs 650 V 100 A 240 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+399.55 грн
100+379.52 грн
500+359.48 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUONS/FAIIGBT 600V 120A 378W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
3 Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,5 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 120 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 60 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 378 W
у наявності: 39 шт
  • 19 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUonsemiIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUONS/FAIIGBT,120 A,2.2 V,378 W,600 V, TO-247AB, 3 Pins Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
1 Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,5 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 120 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 60 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 378 W
у наявності: 109 шт
  • 84 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+271.28 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+306.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUfairchild2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
10000+271.50 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUonsemiIGBTs N-CH / 600V 60A/ FS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+380.70 грн
100+361.84 грн
500+342.98 грн
1000+312.55 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+358.49 грн
120+308.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 21762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.89 грн
30+289.31 грн
120+243.08 грн
510+198.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+476.99 грн
60+474.78 грн
120+394.91 грн
270+377.59 грн
510+300.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+679.01 грн
36+395.62 грн
120+350.43 грн
510+325.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDonsemiIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD
Код товару: 60291
4 Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,9 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 120 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 60 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 300 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 18/115
у наявності: 69 шт
  • 60 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+265.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+358.49 грн
120+308.52 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+473.26 грн
10+291.01 грн
30+273.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.62 грн
10+395.98 грн
120+350.75 грн
510+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.72 грн
10+295.88 грн
100+272.30 грн
500+230.21 грн
1000+209.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085onsemiIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.84 грн
10+431.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUfairchild2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+493.84 грн
100+469.09 грн
500+444.34 грн
1000+404.61 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUONS/FAIIGBT 600V 120A 298W TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]