Продукція > HGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HGTG24N60D1Harris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 24641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+681.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
на замовлення 8602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+957.04 грн
100+908.72 грн
500+861.57 грн
1000+784.21 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+792.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1113.80 грн
100+1058.41 грн
500+1003.01 грн
1000+912.63 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+1113.80 грн
100+1058.41 грн
500+1003.01 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60DIDHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNonsemi / FairchildIGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNONS/FAIIGBT 72A, 1200V, NPT Series Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3DRHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+492.52 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3DRHARRISHGTG27N60C3DR
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+691.85 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+320.59 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+239.56 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+320.59 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG2ON60C3DRHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+246.42 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG2ON60C3DRHARRISHGTG2ON60C3DR
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N120CNFSC
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ONS/FAIIGBT, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/150
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4onsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DonsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DONS/FAIIGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 24/180
у наявності: 20 шт
  • 5 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+321.76 грн
500+304.09 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
на замовлення 15421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+321.76 грн
500+304.09 грн
1000+287.58 грн
10000+261.40 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+264.57 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D
Код товару: 95788
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DonsemiIGBTs 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D..ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D_Qonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3_NLFAIRCHILDHGTG30N60B3_NL
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+647.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3HARRISHGTG30N60C3
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+203.44 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DONS/FAI63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+710.71 грн
100+675.35 грн
500+639.99 грн
1000+583.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+555.65 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+450.14 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+710.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+710.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+611.30 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+850.97 грн
100+808.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+850.97 грн
100+808.54 грн
500+766.11 грн
1000+697.83 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+850.97 грн
100+808.54 грн
500+766.11 грн
1000+697.83 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+850.97 грн
100+808.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG34N100E2HARRISHGTG34N100E2
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+875.72 грн
100+832.11 грн
500+788.50 грн
1000+718.29 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG34N100E2Harris CorporationDescription: IGBT 1000V 55A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+614.63 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4onsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.17 грн
10+531.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4ON-SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+611.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4
Код товару: 47773
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1437.15 грн
10+1323.38 грн
25+1307.51 грн
100+1081.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3
Код товару: 148092
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+908.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3-FSFairchild SemiconductorDescription: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+472.21 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3ON SemiconductorHGTG40N60C3
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+649.42 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3RHARRISHGTG40N60C3R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+896.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+638.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BND
Код товару: 58070
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDONS/FAIIGBT NPT 1200V 21A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDonsemiIGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 34A TO-247
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+279.82 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DonsemiIGBTs 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4D_Qonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40C1DHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40CIDHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+208.65 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40E1DHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.