Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+245.15 грн
500+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
10+258.74 грн
50+203.28 грн
100+174.01 грн
500+157.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.05 грн
10+232.97 грн
50+230.69 грн
100+178.00 грн
500+148.86 грн
1800+142.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.24 грн
52+273.00 грн
100+194.05 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.78 грн
62+229.63 грн
63+227.37 грн
100+175.44 грн
500+146.72 грн
1800+140.12 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+245.15 грн
500+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+142.39 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 264600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+284.60 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+170.66 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+122.70 грн
5400+116.12 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.72 грн
50+270.22 грн
100+245.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+381.38 грн
54+265.33 грн
58+246.68 грн
100+186.65 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.64 грн
10+186.77 грн
50+179.69 грн
100+151.20 грн
500+122.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.85 грн
10+227.27 грн
50+177.60 грн
100+151.68 грн
500+133.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+207.44 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.46 грн
77+184.09 грн
80+177.10 грн
100+149.03 грн
500+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+229.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 5487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.62 грн
10+373.17 грн
100+273.47 грн
500+253.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 321A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 321A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 206nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+335.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+273.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.72 грн
10+382.82 грн
25+375.37 грн
100+344.78 грн
250+303.24 грн
500+275.76 грн
1000+260.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.72 грн
37+382.82 грн
38+375.37 грн
100+344.78 грн
250+303.24 грн
500+275.76 грн
1000+260.48 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+202.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.94 грн
10+387.01 грн
100+289.07 грн
500+277.00 грн
1000+252.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.64 грн
38+374.20 грн
100+279.50 грн
500+267.84 грн
1000+244.01 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.37 грн
10+341.24 грн
50+271.13 грн
100+233.30 грн
500+223.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT018N10NM8ATMA1Infineon Technologies OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in TOLL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5Infineon
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+168.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
10+201.68 грн
100+143.30 грн
500+125.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+169.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+168.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+167.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+113.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.40 грн
50+284.94 грн
51+280.09 грн
54+256.79 грн
100+187.56 грн
250+178.31 грн
500+158.83 грн
1000+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.60 грн
10+294.70 грн
25+289.68 грн
50+265.58 грн
100+193.98 грн
250+184.42 грн
500+164.27 грн
1000+153.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A10-2PBN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A10-2PCPHM9EMI67F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A12-10PN407GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG11F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG13.5F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG135GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG16GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-12PPG16F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A14-19SPHM11EMIF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A16-23SSRGlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A16-8PPHM11F2GlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01ASE8-33SN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E18-11PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E20-41PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E8-2PCSRF11GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01G10-6SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01J14-12/3SGlenairIPT01J14-12/3S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+23634.17 грн
20+18490.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01J14-12/3SGlenairCircular MIL Spec Connector
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01J14-12/3SGlenairIPT01J14-12/3S
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51854.69 грн
2+46570.77 грн
4+39899.19 грн
7+29492.71 грн
10+21101.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01M8-3PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01PP18-USBA-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01QC12-A6PGB39GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1006.09 грн
25+959.65 грн
50+921.02 грн
100+856.83 грн
250+768.74 грн
500+717.78 грн
1000+700.35 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1InfineonIPT020N10N3ATMA1 Корпус: PG-HSOF-8-1, OptiMOSTM3Power-Transistor, 100V, -55...+175С Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
10000+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+501.79 грн
43+332.63 грн
50+329.30 грн
100+243.80 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
10+322.90 грн
50+255.33 грн
100+219.24 грн
500+193.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.61 грн
10+342.01 грн
50+338.49 грн
100+268.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.01 грн
10+194.90 грн
25+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.01 грн
43+330.68 грн
50+327.29 грн
100+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+185.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+128.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]