Продукція > SQS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQS965ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.44 грн
50+55.10 грн
100+46.13 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6A; PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 39012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA70CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0554ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA70CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 31563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+54.27 грн
100+42.22 грн
500+33.58 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA70CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA70CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.50 грн
6000+26.14 грн
9000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.49 грн
6000+33.68 грн
9000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.86 грн
100+56.44 грн
500+41.93 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.21 грн
6000+14.37 грн
9000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.08 грн
100+26.07 грн
500+18.80 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
9000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 12657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+42.95 грн
50+31.67 грн
100+26.30 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSC-02H-1A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors YELLOW CPA HOUSING
на замовлення 9962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSDO1920D3JCA/3.2*5SAMSANG1000/REEL
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSF-02-1AJST AutomotiveAutomotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE 0
на замовлення 11640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSKC-02H-1A-DJST AutomotiveAutomotive Connectors CPA (Orange)
на замовлення 12940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQSKL-02H-2A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors Cover HSG (A code yellow)
на замовлення 8127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.