Продукція > Si1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1021-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R | VISHAY | на замовлення 13200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1021R-T1 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 279018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A | на замовлення 18312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 20539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022DWF | Vishay / Dale | Vishay SI1022R IN WAFER FORM (UNPROBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1 | VISHAY | SOT416-E | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1 SOT416-E | VISHAY | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-75A Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 102018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | на замовлення 15672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-75A Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A | на замовлення 9446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1022R-T1SOT41 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1022R-TI-E3 | на замовлення 1658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1023-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1023LGA кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si1023CX-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 220mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 94053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 220mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 59655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023R-T1 | на замовлення 2938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1023X | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1 | VISHAY | SOT-666 0406+ | на замовлення 16372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1 SOT563-B | VISHAY | на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V | на замовлення 7189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Description: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1024 кількість в упаковці: 43 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X | VISHAY | на замовлення 21200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | N/A | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 6508 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89 Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V | на замовлення 248457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

