Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN62D2UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.58 грн
500+6.67 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
9000+3.13 грн
15000+2.74 грн
21000+2.62 грн
30000+2.50 грн
75000+2.21 грн
150000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.455A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 3K
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
30000+3.07 грн
50000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFBDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.31 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
2000+4.54 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7B транзисто
Код товару: 221994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: IC
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.61 грн
20000+2.28 грн
30000+2.16 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
14+21.96 грн
100+12.46 грн
500+7.75 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.27 грн
100+11.24 грн
500+8.60 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.47 грн
9000+4.73 грн
30000+4.36 грн
75000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 19547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
9000+2.72 грн
24000+2.50 грн
45000+2.30 грн
99000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+5.88 грн
2424+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 92137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.44 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.66 грн
55+13.76 грн
56+13.60 грн
127+5.73 грн
250+5.25 грн
500+5.00 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.28 грн
9000+2.72 грн
24000+2.50 грн
45000+2.30 грн
99000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.10 грн
20000+2.81 грн
30000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 490034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.87 грн
100+6.76 грн
500+4.66 грн
1000+4.11 грн
2000+3.65 грн
5000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.05 грн
20000+2.75 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.21 грн
6000+2.84 грн
9000+2.74 грн
15000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.60 грн
6000+3.20 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.30 грн
9000+3.10 грн
15000+2.71 грн
21000+2.59 грн
30000+2.47 грн
75000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+4.34 грн
3000+2.86 грн
6000+2.49 грн
9000+2.36 грн
15000+2.17 грн
21000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.09 грн
9000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
6000+3.01 грн
9000+2.92 грн
15000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DiodesMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5618+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 5618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.82 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
17+18.64 грн
100+9.11 грн
500+7.13 грн
1000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.24 грн
9000+3.52 грн
30000+3.24 грн
75000+2.91 грн
150000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4602+3.07 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
50+8.55 грн
61+6.98 грн
100+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 47727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 933000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]