Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4219911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.61 грн
100+10.40 грн
500+7.97 грн
1000+5.91 грн
2000+4.97 грн
5000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1066085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
50+6.04 грн
100+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
на замовлення 223595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 1062000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.38 грн
9000+3.32 грн
15000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.27 грн
63+11.97 грн
150+4.86 грн
250+4.45 грн
500+4.23 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW; U-DFN1212-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN1212-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 17873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.72 грн
25+18.87 грн
50+15.44 грн
100+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 142979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.45 грн
25+17.00 грн
50+13.91 грн
100+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.70 грн
20000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.43 грн
36+21.03 грн
100+11.37 грн
250+10.41 грн
500+9.90 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.03 грн
1200+11.79 грн
1213+11.66 грн
1225+11.14 грн
2246+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.80 грн
30000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
20000+4.88 грн
50000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D1SFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
20000+4.88 грн
50000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBW-7BDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 528mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500µW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.36 грн
20000+2.95 грн
30000+2.80 грн
50000+2.47 грн
70000+2.38 грн
100000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2U-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+3.48 грн
9000+3.06 грн
15000+2.79 грн
21000+2.75 грн
30000+2.63 грн
75000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.58 грн
500+6.67 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UT-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
9000+3.13 грн
15000+2.74 грн
21000+2.62 грн
30000+2.50 грн
75000+2.21 грн
150000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.455A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 3K
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
30000+3.07 грн
50000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFBDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.31 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
2000+4.54 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB-7B транзисто
Код товару: 221994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: IC
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.61 грн
20000+2.28 грн
30000+2.16 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LFB4-7BDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
14+21.96 грн
100+12.46 грн
500+7.75 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.47 грн
9000+4.73 грн
30000+4.36 грн
75000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.27 грн
100+11.24 грн
500+8.60 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 19547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+5.88 грн
2424+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 59880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
39+7.82 грн
50+6.36 грн
100+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.