Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN62D2UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.80 грн
6000+3.29 грн
9000+3.10 грн
15000+2.71 грн
21000+2.59 грн
30000+2.48 грн
75000+2.19 грн
150000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.455A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 3K
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.35 грн
17+18.97 грн
100+10.49 грн
500+6.49 грн
1000+4.69 грн
3000+4.00 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.21 грн
30000+3.04 грн
50000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D4LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
14+21.76 грн
100+12.35 грн
500+7.68 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V SOT523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.06 грн
100+11.14 грн
500+8.52 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
6000+5.42 грн
9000+4.69 грн
30000+4.32 грн
75000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.79 грн
14+22.86 грн
100+10.22 грн
1000+8.49 грн
2500+7.80 грн
10000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 64090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.97 грн
100+17.95 грн
500+12.77 грн
1000+11.45 грн
2000+10.34 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.30 грн
20000+8.29 грн
30000+7.95 грн
50000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
14+24.21 грн
100+13.39 грн
500+8.42 грн
1000+7.39 грн
2500+6.49 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.35 грн
100+8.97 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
23+14.29 грн
100+7.59 грн
500+5.45 грн
1000+4.76 грн
3000+2.83 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D1LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 19547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.94 грн
19+16.83 грн
100+7.80 грн
500+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.70 грн
55+13.79 грн
56+13.63 грн
127+5.74 грн
250+5.26 грн
500+5.01 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.19 грн
88+9.18 грн
136+5.94 грн
500+3.94 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.29 грн
9000+2.73 грн
24000+2.50 грн
45000+2.31 грн
99000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.68 грн
100+5.39 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
9000+2.73 грн
24000+2.50 грн
45000+2.31 грн
99000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.94 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
на замовлення 92137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.96 грн
27+11.91 грн
100+4.28 грн
1000+3.04 грн
3000+2.28 грн
9000+1.93 грн
24000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+5.90 грн
2424+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 2404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.05 грн
20000+2.76 грн
30000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.97 грн
91+8.94 грн
173+4.66 грн
500+4.26 грн
1000+3.21 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.07 грн
2000+3.62 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.11 грн
20000+2.82 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.26 грн
1000+3.21 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 490034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
40+8.02 грн
100+3.59 грн
500+3.18 грн
1000+2.90 грн
5000+2.83 грн
10000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+3.01 грн
9000+2.93 грн
15000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DiodesMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
6000+3.27 грн
9000+3.08 грн
15000+2.68 грн
21000+2.57 грн
30000+2.45 грн
75000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5618+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 5618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 168205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.40 грн
34+9.61 грн
100+5.32 грн
500+4.28 грн
1000+3.87 грн
3000+2.42 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.21 грн
6000+2.84 грн
9000+2.75 грн
15000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.15 грн
1500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.61 грн
6000+3.20 грн
9000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 108432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.92 грн
100+6.76 грн
500+4.66 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+4.35 грн
3000+2.86 грн
6000+2.49 грн
9000+2.37 грн
15000+2.18 грн
21000+2.04 грн
30000+1.97 грн
75000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.10 грн
9000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.05 грн
72+11.28 грн
107+7.55 грн
500+5.15 грн
1500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.27 грн
1000+4.54 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 933000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.20 грн
9000+3.49 грн
30000+3.21 грн
75000+2.89 грн
150000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.03 грн
58+13.93 грн
124+6.52 грн
500+5.27 грн
1000+4.54 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 47727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.75 грн
25+13.02 грн
100+5.32 грн
500+4.56 грн
1000+4.28 грн
3000+2.49 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4602+3.08 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
17+18.47 грн
100+9.03 грн
500+7.06 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.58 грн
31+13.63 грн
50+9.34 грн
100+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+4.13 грн
6000+3.23 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.66 грн
75000+2.62 грн
99000+2.52 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+3.85 грн
9000+3.64 грн
15000+3.18 грн
21000+3.04 грн
30000+2.91 грн
75000+2.57 грн
150000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.03 грн
59+13.85 грн
100+8.78 грн
500+6.06 грн
1500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.13 грн
6000+3.23 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.66 грн
75000+2.62 грн
99000+2.52 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.05 грн
100+7.66 грн
500+5.66 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.64 грн
100+7.87 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.06 грн
1500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.87 грн
56+13.74 грн
59+12.91 грн
130+5.61 грн
250+5.02 грн
500+4.77 грн
1000+2.75 грн
3000+2.70 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2522+5.62 грн
2547+5.57 грн
4412+3.21 грн
4505+3.03 грн
7076+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
на замовлення 56452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.24 грн
33+9.69 грн
100+4.00 грн
1000+2.49 грн
2500+2.07 грн
10000+1.59 грн
20000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
80000+2.01 грн
160000+1.87 грн
240000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.89 грн
20000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.03 грн
108+7.47 грн
250+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]