Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN5R5-100YSFXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 115A
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+101.48 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+101.26 грн
100+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+203.77 грн
100+154.64 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 115A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.29 грн
35+21.92 грн
100+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+99.24 грн
100+58.33 грн
500+46.46 грн
1000+40.66 грн
1500+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.34 грн
200+78.53 грн
500+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
10+112.18 грн
100+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115
Код товару: 111161
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.81 грн
100+62.87 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.45 грн
140+101.69 грн
250+97.62 грн
500+90.73 грн
1000+81.27 грн
2500+75.71 грн
5000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+155.44 грн
50+127.25 грн
200+81.52 грн
500+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 100A, 60V, 0.055OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN5R6-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.08 грн
10+181.80 грн
100+111.14 грн
500+86.29 грн
800+83.53 грн
4800+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.79 грн
500+239.79 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+157.58 грн
100+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R6-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+180.21 грн
50+151.18 грн
100+136.69 грн
250+135.31 грн
500+127.71 грн
1000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.32 грн
10+179.60 грн
100+158.66 грн
500+120.41 грн
1000+98.03 грн
2000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.49 грн
100+162.33 грн
250+161.74 грн
500+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+167.97 грн
100+166.78 грн
250+166.17 грн
500+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100XSRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100YSFXNexperiaNextPower 100 V, N-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100YSFXNexperiaMOSFET PSMN5R6-100YSF SOT1023/4 LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YL,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-60YL - N-CHANNEL 60V, LO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 26090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.06 грн
1000+44.32 грн
10000+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 71005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+72.40 грн
100+41.70 грн
500+32.72 грн
1000+28.37 грн
1500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.10 грн
200+45.47 грн
500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+118.85 грн
3000+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.46 грн
100+44.95 грн
500+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNXPMOSFET N-channel 60 V LFPAK-56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+119.06 грн
3000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+109.53 грн
50+90.20 грн
200+66.11 грн
500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1316 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1316 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
10000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.67 грн
3000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.04 грн
200+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.37 грн
100+49.11 грн
500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 20749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.49 грн
500+35.83 грн
1000+30.58 грн
1500+29.13 грн
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.99 грн
10+114.37 грн
50+95.04 грн
200+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 транзистор
Код товару: 215646
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R9-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R9-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 12 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.61 грн
100+26.53 грн
500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-25YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
10+38.74 грн
100+23.33 грн
500+19.54 грн
1000+18.09 грн
1500+15.81 грн
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLD115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-25YLD115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLD115NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1429+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 1429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLD115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 43W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Bulk
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1429+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 1429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDXNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 33585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
797+44.49 грн
1000+41.02 грн
10000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 797 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 61A
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+40.89 грн
100+23.68 грн
500+18.57 грн
1000+17.67 грн
1500+11.25 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.09 грн
3000+22.99 грн
9000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+72.58 грн
543+65.33 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.09 грн
3000+22.99 грн
9000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
на замовлення 3232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+48.01 грн
100+31.55 грн
500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+41.76 грн
100+25.20 грн
500+20.99 грн
1500+18.29 грн
3000+14.84 грн
9000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 71A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLB,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-30YLB,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 5500 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.48V
Verlustleistung: 58W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
11+77.96 грн
100+54.93 грн
500+38.37 грн
1000+32.52 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]