Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD7NS20T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.19 грн
164+86.31 грн
188+75.42 грн
250+72.00 грн
500+60.72 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD8010AWASTMicroelectronics Flexible MPEG audio/video codec with DVD and DVB r, Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD8010AWBSTMicroelectronics Flexible MPEG audio/video codec with DVD and DVB r, Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N02
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N02-011GONSMD
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.73 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.72 грн
5000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.72 грн
5000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.69 грн
100+59.91 грн
500+44.65 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.64 грн
10+255.57 грн
100+184.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 105W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.197ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.23 грн
500+218.89 грн
1000+195.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.31 грн
10+300.75 грн
100+242.23 грн
500+218.89 грн
1000+195.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N340K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+185.07 грн
100+130.69 грн
500+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N340K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.47 грн
500+29.89 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 6597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.84 грн
100+37.68 грн
500+27.63 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.84 грн
5000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.43 грн
50+46.33 грн
100+37.47 грн
500+29.89 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+397.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.49 грн
10+191.02 грн
100+154.44 грн
500+135.11 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.44 грн
500+135.11 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+192.09 грн
100+135.39 грн
500+104.35 грн
1000+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.99 грн
232+61.02 грн
236+60.04 грн
250+56.96 грн
500+51.88 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+53.29 грн
100+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.27 грн
500+50.27 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.65 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+63.55 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.96 грн
13+61.99 грн
25+61.02 грн
100+57.90 грн
250+52.74 грн
500+49.80 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD815CP40STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD815CP40STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD815CP40STMтранзисторная сборка Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD8200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD826
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD826T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD826T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD826T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD83003ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD83003T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD830BLKVCCLED Mounting Hardware .2" DIA X .83" BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD830CP20
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD830CP40STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V
Supplier Device Package: 8-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD830CP40STMтранзисторная сборка Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD830CP40STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD830CP40STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN/PNP 400V 3A 3000mW 8-Pin PDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD840DN40STMicroelectronicsDescription: TRANS 2NPN DUAL 400V 4A 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: 8-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD840DN40STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Dual NPN High Volt 400V Vceo 700V Vcbo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD845DN40
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD845DN40STMicroelectronicsDescription: TRANS 2NPN DUAL 400V 4A 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: 8-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD845DN40STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Dual NPN High Volt Low Vce(sat)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.69 грн
5000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD85N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+57.74 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD85N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
10+108.11 грн
100+77.55 грн
500+63.78 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.35 грн
100+70.01 грн
500+52.70 грн
1000+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N3LH5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N3LH5
Код товару: 86079
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD85N3LH5STMN-channel 30V - 0.005. - 80A - DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD86N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.80 грн
10+92.66 грн
100+62.75 грн
500+46.19 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.89 грн
100+52.46 грн
500+38.99 грн
1000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMMOSFET N-CH 30V 80A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V
на замовлення 39432 шт:
термін постачання 717-726 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD86N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.55 грн
5000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD878T4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD878T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD878T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD880
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD882ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD882DSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD888ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD888T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.76 грн
100+23.89 грн
500+17.23 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]