Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLU8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8203PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 81A 5.7mOhm 25V 10nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 81A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBF
Код товару: 33746
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 81 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0057 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/10
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8259 PBF
Код товару: 25379
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 57 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0087 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 900/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8259PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8713PBFIR06+
на замовлення 60975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721IR 0817+ TO-251
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBF
Код товару: 33747
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 86 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0056 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2150/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInternational Rectifier HiRel Products30 V, HEXFET Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+39.54 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-21
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729PBF
Код товару: 33748
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 58 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0089 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1350/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.17 грн
500+88.35 грн
1000+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343-701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBF
Код товару: 131524
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW510AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW510ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW520AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW530AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW540AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW610AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW610ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW620AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW630AFAIRCHILDTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW630ATMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW640AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SiliconixN-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14
Код товару: 24762
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/8,4
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF
Код товару: 40553
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/8,4
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.39 грн
211+67.16 грн
224+63.28 грн
500+52.44 грн
1000+46.89 грн
2000+42.82 грн
5000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.45 грн
50+67.23 грн
100+63.33 грн
500+52.49 грн
1000+46.93 грн
2000+42.85 грн
5000+40.32 грн
10000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 23075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+54.60 грн
50+51.58 грн
100+47.38 грн
250+41.51 грн
500+37.24 грн
1000+32.88 грн
2000+28.60 грн
5000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.67 грн
50+76.93 грн
100+64.71 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 23075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.54 грн
167+85.01 грн
250+74.45 грн
500+64.28 грн
1000+52.68 грн
2000+44.01 грн
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.86 грн
50+72.56 грн
100+61.04 грн
500+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.67 грн
50+76.93 грн
100+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.81 грн
2400+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRR
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRLZ24 TIRLZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24L
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.67 грн
10+94.58 грн
25+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24N
Код товару: 17389
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NInternational RectifierN-MOSFET 18A 55V 45W 0.06Ω IRLZ24N TIRLZ24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 60 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBF
Код товару: 222247
Додати до обраних Обраний товар
VbsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/66
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.80 грн
100+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.