Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLU3802PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.29 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU3915PBF - IRLU3915 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU4343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU4343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821IR03+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833-701
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833TRR-701
на замовлення 26967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833TRR701PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+404.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU7843PBF - IRLU7843 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8113PBF
Код товару: 31851
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 94 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2920/22
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8203PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 81A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBF
Код товару: 33746
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 25 V
Струм стоку Idd, A: 81 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0057 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1470/10
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8256PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 81A 5.7mOhm 25V 10nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8259 PBF
Код товару: 25379
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 25 V
Струм стоку Idd, A: 57 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0087 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 900/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8259PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8713PBFIR06+
на замовлення 60975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721IR 0817+ TO-251
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8721PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8726PBF
Код товару: 33747
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 86 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0056 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2150/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInternational Rectifier HiRel Products30 V, HEXFET Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+39.54 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729-701PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-21
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8729PBF
Код товару: 33748
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 58 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0089 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1350/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743International RectifierTranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU8743; IRLU 8743 IPAK; IRLU8743; IRLU8743 IPAK TIRLU8743
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.82 грн
12+73.07 грн
100+64.78 грн
500+51.40 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.17 грн
500+88.35 грн
1000+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343-701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBF
Код товару: 131524
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW510AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW510ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW520AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW530AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW540AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW610AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW610ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW620AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW630AFAIRCHILDTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW630ATMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLW640AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14
Код товару: 24762
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 10 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 400/8,4
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SiliconixN-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF
Код товару: 40553
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 400/8,4
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
50+72.04 грн
100+64.57 грн
500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
50+72.04 грн
100+64.57 грн
500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
12+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]