Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6728L2PBFIOR2007
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6740S2TRPBFIOR2007
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.50 грн
500+61.95 грн
1000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.05 грн
10+96.36 грн
100+63.75 грн
250+60.68 грн
500+53.77 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.96 грн
25+72.79 грн
100+69.08 грн
250+62.93 грн
500+59.42 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.45 грн
10+99.39 грн
100+76.50 грн
500+61.95 грн
1000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.96 грн
195+72.79 грн
198+71.64 грн
250+67.96 грн
500+61.90 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.21 грн
168+84.58 грн
171+83.25 грн
2000+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+120.49 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.66 грн
10+112.10 грн
25+111.53 грн
100+106.99 грн
250+98.56 грн
500+94.12 грн
1000+93.64 грн
3000+93.15 грн
6000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 37191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+120.49 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+120.49 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 8705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.19 грн
10+88.13 грн
100+76.94 грн
500+67.63 грн
1000+64.42 грн
2000+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+120.49 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.63 грн
10+175.86 грн
2500+75.41 грн
4800+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.66 грн
127+112.10 грн
128+106.99 грн
250+98.56 грн
500+94.12 грн
1000+93.64 грн
3000+93.15 грн
6000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6794MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.15 грн
10+195.77 грн
100+138.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6794MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.62 грн
36+21.27 грн
37+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.22 грн
10+189.51 грн
100+137.56 грн
250+118.01 грн
500+101.25 грн
1000+87.28 грн
4800+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
на замовлення 36656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+114.82 грн
1000+108.44 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 160A; 75W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 160A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+57.87 грн
9600+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+57.87 грн
9600+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.77 грн
229+62.15 грн
231+61.54 грн
233+58.74 грн
250+53.84 грн
500+51.16 грн
1000+50.63 грн
3000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+114.82 грн
1000+108.44 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.71 грн
13+62.15 грн
25+59.34 грн
100+54.39 грн
250+51.69 грн
500+51.16 грн
1000+50.63 грн
3000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6797MTRPBF - IRF6797 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6797MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6798MTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF67MA-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin Direct-FET SA T/R
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6802SDTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N CH 25V 16A S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STRPBFInternational RectifierDescription: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6810STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET DirectFET
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
на замовлення 35276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 19A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.50 грн
25+51.14 грн
50+48.92 грн
100+43.73 грн
250+41.79 грн
500+40.69 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 74A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STRPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: DIRECTFET PLUS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 28A S3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STRPBFInternational RectifierDescription: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6892STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 17nC
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]