Продукція > PSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PSMP-MSSB-PCT1R | AMPHENOL / PARTNER STOCK | Description: AMPHENOL / PARTNER STOCK - PSMP-MSSB-PCT1R - HF-/Koaxialsteckverbinder, PSMP-Koaxial, Gerade Buchse, Durchsteckmontage, abgewinkelt, 50 ohm tariffCode: 85366990 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Messing Steckverbinderausführung: Gerade Buchse isCanonical: Y Steckverbindermontage: Leiterplattenmontage SVHC: To Be Advised Steckverbinder: PSMP-Koaxial Koaxialanschluss: Durchsteckmontage, abgewinkelt Impedanz: 50ohm Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Frequenz, max.: 10GHz Koaxialkabeltyp: - | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT1R | Amphenol RF | Description: CONN PSMP JACK STR 50 OHM SMD Features: Smooth Bore Packaging: Bulk Connector Type: Jack, Male Pin Contact Termination: Solder Impedance: 50 Ohms Mounting Type: Surface Mount, Through Hole Fastening Type: Snap-On Connector Style: PSMP Housing Color: Gold Shield Termination: Solder Center Contact Material: Brass Frequency - Max: 10 GHz Number of Ports: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT35 | Amphenol RF | RF Connectors / Coaxial Connectors PCB Jack M-Cont. T/H Smooth Bore 3.5mm | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT35 | AMPHENOL RF | Description: AMPHENOL RF - PSMP-MSSB-PCT35 - HF-/Koaxialsteckverbinder, PSMP-Koaxial, Gerade Buchse, Durchsteckmontage, gerade, 50 ohm tariffCode: 85366910 rohsCompliant: Y-EX Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Messing Steckverbinderausführung: Gerade Buchse Steckverbindermontage: Leiterplattenmontage usEccn: EAR99 euEccn: NLR Koaxialanschluss: Durchsteckmontage, gerade Impedanz: 50ohm Steckverbindertyp: PSMP-Koaxial Produktpalette: - Koaxialkabeltypen: - productTraceability: No Frequenz, max.: 10GHz SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT35 | Amphenol RF | Conn PSMP RCP 0Hz to 10GHz 50Ohm Solder ST Thru-Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT35 | Amphenol RF | Description: CONN PSMP JACK STR 50 OHM PCB Features: Smooth Bore Packaging: Tray Connector Type: Jack, Male Pin Contact Termination: Solder Impedance: 50 Ohms Mounting Type: Through Hole Fastening Type: Snap-On Connector Style: PSMP Housing Color: Gold Shield Termination: Solder Center Contact Material: Brass Part Status: Active Frequency - Max: 10 GHz Number of Ports: 1 | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP-MSSB-PCT35 | Amphenol RF | Conn PSMP RCP 0Hz to 10GHz 50Ohm Solder ST Thru-Hole | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP012-30YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 67.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP012-30YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 67.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP012-30YEX | Nexperia | MOSFET PSMP012-30YE LFPAK | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP015-40YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 63.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP015-40YEX | Nexperia | MOSFET PSMP015-40YE LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP015-40YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 63.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP020-30YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP020-30YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 41.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP020-30YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP020-30YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 41.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP020-30YEX | Nexperia | MOSFET PSMP020-30YE LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP025-40YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 39.4A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP025-40YEX | Nexperia | MOSFET PSMP025-40YE LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP025-40YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 39.4A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032-60YE | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP032-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.7A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 38.7A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032-60YEX | Nexperia | MOSFET PSMP032-60YE LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP032-60YE/SOT669/LFPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.7A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032N08NS1-T0 | Panjit | MOSFETs TO220 N CHAN 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP032N08NS1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 80V/ 3.4MOHM / TJMAX 175C MV MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 40 V | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP032N08NS1_T0_00601 | Panjit | MOSFETs 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET | на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YE | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 30A | на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia | P-Channel 60 V 30A Power-SO8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.033 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033N10NS2_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: Excellent FOM Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033N10NS2_T0_00601 | PanJit Semiconductor | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP033N10NS2_T0_00601 | Panjit | MOSFETs Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP050N10NS2-S2 | Panjit | MOSFETs TO220 100V 120A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP050N10NS2_T0_00601 Код товару: 191410
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PSMP050N10NS2_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V | на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP050N10NS2_T0_00601 | Panjit | MOSFETs 100V 5mohm Low FOM MOSFET | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP055N08NS1-T0 | Panjit | MOSFETs TO220 N CHAN 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP055N08NS1_T0_00601 | Panjit | MOSFETs 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET | на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP055N08NS1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V | на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP057-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP057-60YE/SOT669/LFPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP057-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP057-60YE/SOT669/LFPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP057-60YEX | Nexperia | MOSFET PSMP057-60YE LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP057-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 22.7A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | MOSFETs PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK | на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 98951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: Y-EX productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 98951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 94451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP061-60YEX транзистор Код товару: 196773
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PSMP075N15NS1-T0 | Panjit | MOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-150CTMNH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMP075N15NS1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 258.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6511 pF @ 75 V | на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMP075N15NS1_T0_00601 | Panjit | MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQB280N10LS2_R2_00201 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC039N10NS2-R2 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC039N10NS2_R2_00201 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC040N08NS2-R2 | Panjit | MOSFETs TO-220AB-L/MOS/NFE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC040N08NS2_R2_00201 | Panjit International Inc. | Description: 80V/ 4.4M/ BEST-IN-GLASS FOM MOS Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC040N08NS2_R2_00201 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8 Mounting: SMD Case: DFN5060-8 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC040N08NS2_R2_00201 | Panjit | MOSFETs 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC040N08NS2_R2_00201 | Panjit International Inc. | Description: 80V/ 4.4M/ BEST-IN-GLASS FOM MOS Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC040N10NS2-R2 | Panjit | MOSFETs DFN 100V 122A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Panjit | MOSFETs 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET | на замовлення 5863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 122A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 125W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC040N10NS2_R2_00601 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | на замовлення 5297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2 | Panjit | MOSFETs 100V/ 4.2m ohms/ Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2-R2 | Panjit | MOSFETs DFN 100V 109A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 | Panjit | MOSFETs 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution | на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU | Panjit International Inc. | Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU | Panjit | MOSFET 60V/ 6m ohms / AECQ101 qualified / Solution for Automotive lighting | на замовлення 6000 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU | Panjit International Inc. | Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU-R2 | Panjit | MOSFETs DFN5060 N CHAN 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 | Panjit | MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC060N06LS1-R2 | Panjit | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PSMQC074N10NS2_R2_00201 | Panjit International Inc. | Description: 100V/ 7.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

