Продукція > 2sc

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC3311A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311A-Q(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311A-S(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311A0APanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311AQAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311AQCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311AQTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ARAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ARCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ASAPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ASCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ASTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3311ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3312
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC33120RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3313
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3314
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3315
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3316
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3317FUJIMODULE
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3318FUJIMODULE
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3319FUJIMODULE
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC332NECCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3320---Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3320FujitsuTRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3320 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 13498
Додати до обраних Обраний товар
FujitsuТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 500 В
Струм колектора Ic, А: 15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 10
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
  • 64 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+165.00 грн
10+152.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3320B2SIRECTIFIERCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; TO247AD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3321FUJIMODULE
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3322
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3323
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BLTOSHIBASOT23
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,F
Код товару: 155806
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85LF)SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-GR(TE85L)TOSHIBASOT23
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324BLToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LFToshibaTO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LF
Код товару: 179371
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-YTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshibaTRANS NPN 50V 0.5A S-MINI Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 14157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.77 грн
28+11.00 грн
100+6.87 грн
500+4.74 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshibaТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
106+7.36 грн
114+6.88 грн
123+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFTOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.12 грн
43+9.96 грн
100+6.19 грн
500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
9000+3.13 грн
15000+2.73 грн
21000+2.61 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF(BToshibaTransistor, Silicon NPN Epitaxial Type (Pct Process)
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LXGF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2374+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 2374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-YLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-YLXGF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326(T5LSONY,F)TOSHIBA2005
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-ATOSHIBASOT-23
на замовлення 11600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A(TE85L,F)TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
26+17.39 грн
46+9.12 грн
100+8.12 грн
500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
6000+4.60 грн
9000+4.34 грн
15000+3.81 грн
21000+3.65 грн
30000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 31689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
21+14.76 грн
100+9.26 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LFToshibaTRANS NPN 20V 0.3A TO236 Транзистори
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF(BToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1909+7.39 грн
1974+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1909 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.66 грн
50+15.38 грн
100+12.67 грн
250+9.60 грн
500+7.42 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+18.66 грн
918+15.38 грн
1114+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-ALF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-BToshibaSOT23 11+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+4.58 грн
9000+4.33 грн
15000+3.80 грн
21000+3.64 грн
30000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LFToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
21+14.76 грн
100+9.23 грн
500+6.42 грн
1000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF(TTOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 14510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+11.17 грн
65+6.53 грн
100+5.86 грн
500+5.19 грн
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-BLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]