Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK9M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+41.21 грн
100+32.03 грн
500+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R7-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9M7R2-40E - N-CHANNEL 40V, LO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+43.48 грн
100+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
913+38.75 грн
1000+35.74 грн
10000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.35 грн
55+13.79 грн
56+13.57 грн
57+12.87 грн
100+11.72 грн
250+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M7R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
913+38.75 грн
1000+35.74 грн
10000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60ENexperia USA Inc.Description: BUK9M85-60E - N-CHANNEL 60 V, 85
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperiaMOSFETs BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 8482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.36 грн
100+24.22 грн
500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.59 грн
100+29.85 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M8R5-40HXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 9.1 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M8R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.56 грн
50+29.17 грн
100+20.52 грн
250+19.51 грн
500+15.75 грн
1000+10.86 грн
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M8R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+44.31 грн
100+34.42 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+20.66 грн
696+20.33 грн
707+20.01 грн
719+18.98 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.19 грн
3000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.01 грн
500+19.68 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45.5A
Pulsed drain current: 258A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 9.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.89 грн
100+41.08 грн
500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A
на замовлення 32050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R5-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MFF-65PSSNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MFF-65PSS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 13.6A 20SO
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 4.75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MGP-55PTS,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 16.9A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Tc), 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 5V, 23nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MHH-65PNNNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MHH-65PNN,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 15A 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJJ-55PSSNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJJ-55PSS/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJJ-55PTT,518Nexperia USA Inc.Description: 9648 MISC TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJJ-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJJ55PSSNXP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MJT-55PRF,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 55V 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MLL-55PLL,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9648 MISC 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MMM-55PNN/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MMM55PNNNXP
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MNN-65PKKNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MNN-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 7.1A 20SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.8mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.57W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MPP-55PRR,518Nexperia USA Inc.Description: DIODE 9605 MISC 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MPP-65PLLNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MPP-65PLL,518Nexperia USA Inc.Description: TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MRR-55PGG/A,51Nexperia USA Inc.Description: 55V N CH TRENCHFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MRR-65PKK,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 4.8A 20SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.7mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9MTT-65PBB,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90.4mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Power - Max: 3.15W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
18+17.66 грн
50+14.49 грн
100+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q12-40HJNexperia USA Inc.Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q16-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q16-100L/SOT8002 /MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q17-80LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q17-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q19-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q19-100L/SOT8002 /MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q22-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q25-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q25-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+48.00 грн
50+35.47 грн
100+29.48 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q29-60EJNexperiaMOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q34-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q34-80L/SOT8002/ MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q45-80LNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q45-80L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.045 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q45-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q45-80L/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q4R6-40HJNexperiaMOSFETs BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.74 грн
50+27.69 грн
100+22.91 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q50-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9R4R5-40HJNexperiaMOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+54.95 грн
50+40.65 грн
100+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.01135 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 42
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.55 грн
100+56.39 грн
500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNXPTransistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperiaMOSFETs BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y07-30B - POWER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  Наступна Сторінка >> ]