Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9M67-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V Verlustleistung: 45W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R0-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 30 V, 6.6 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R6-30EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R6-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R6-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R6-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R6-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M6R7-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2054 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M7R2-40E - N-CHANNEL 40V, LO Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 70A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M85-60E | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M85-60E - N-CHANNEL 60 V, 85 Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 8.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 8685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M85-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M8R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M8R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M8R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M8R5-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 9.1 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M8R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45.5A Pulsed drain current: 258A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 18.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 9.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A | на замовлення 32050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9MFF-65PSS | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MFF-65PSS,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 13.6A 20SO Supplier Device Package: 20-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Power - Max: 4.75W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MGP-55PTS,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 55V 16.9A 20SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Tc), 3.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 5V, 23nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 20-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MHH-65PNN | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK9MHH-65PNN,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 15A 20SO Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 20-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3643pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Power - Max: 5W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MJJ-55PSS | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MJJ-55PSS/A,51 | Nexperia USA Inc. | Description: 55V N CH TRENCHFET Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MJJ-55PTT,518 | Nexperia USA Inc. | Description: 9648 MISC TRENCHFET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MJJ-65PLL,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 20-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MJJ55PSS | NXP | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK9MJT-55PRF,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20SO Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 20-SO FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 10A, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MLL-55PLL,518 | Nexperia USA Inc. | Description: DIODE 9648 MISC 20SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MMM-55PNN/A,51 | Nexperia USA Inc. | Description: 55V N CH TRENCHFET Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MMM55PNN | NXP | на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK9MNN-65PKK | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MNN-65PKK,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 7.1A 20SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 20-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.8mOhm @ 5A, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Power - Max: 3.57W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MPP-55PRR,518 | Nexperia USA Inc. | Description: DIODE 9605 MISC 20SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MPP-65PLL | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK9MPP-65PLL,518 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MRR-55PGG/A,51 | Nexperia USA Inc. | Description: 55V N CH TRENCHFET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MRR-65PKK,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 4.8A 20SO Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 20-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.7mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Power - Max: 3.2W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9MTT-65PBB,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90.4mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Power - Max: 3.15W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 20-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q12-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: MLPAK33 Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q12-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q16-100LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q16-100L/SOT8002 /MLPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q17-80LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q17-80LJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q17-80LJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q19-100LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q19-100L/SOT8002 /MLPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q22-80LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q25-100LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q25-100L/SOT8002 /MLPAK33 | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q29-60EJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33 | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q34-80LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q34-80L/SOT8002/ MLPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q45-80L | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Q45-80L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.045 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q45-80LJ | Nexperia | MOSFETs BUK9Q45-80L/SOT8002/ MLPAK33 | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q4R6-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q4R6-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Q7R0-40H | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Q7R0-40H | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9R4R5-40HJ | Nexperia | MOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56 | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9R4R5-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9R4R5-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9V13-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

