Продукція > BSO
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSO4-8632-32 | PEM | Standoffs & Spacers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-8632-34 | PEM | Standoffs & Spacers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 10362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 5861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-6 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 8709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3-8 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M3.5-8 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M4-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M4-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M4-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M4-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4-M5-16 | PEM | Standoffs & Spacers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4241 | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 1332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 42µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4410 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 14880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4410 . | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO4410T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 42µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4420 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4420 | INF | 07+; | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4420T | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO4420T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 31500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804 . | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO4804 Pb | INFINEON | 06+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804HUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4804HUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 3638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO4804T | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4822 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4822 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4822 | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4822T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO4822T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO604NS2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 5A DSO-8 OptiMOS | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 5A DSO-8 OptiMOS | на замовлення 8710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CV | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 60V 3A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CV | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO612CV | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CV G | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CV G | Infineon | DSO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CVG | Infineon Technologies | Description: BSO612 - 20V-60V COMPLEMENTARY M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CVG | Infineon technologies | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CVGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO612CVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO613SPV | INFINEON? | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO613SPV | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -3.44A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -3.44A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 15679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 Код товару: 206029
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO615C | INFINEON | на замовлення 23424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO615C . | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO615C G Код товару: 174636
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CG | INFINEON | 0746+P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 5373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CT | LNFINEON | 05+ | на замовлення 617 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615CT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615N | INFINEON | на замовлення 22378 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO615N | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615N | Infineon Technologies | MOSFETs N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615N . | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO615N .. | на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NG | UMW | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NG | UMW | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NGHUMA1 Код товару: 148822
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 35836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSO615NGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 19645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

