Продукція > GP3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP377 | Gold Peak | Gold Peak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP377-OC5 | Gold Peak | Gold Peak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP379 | Gold Peak | Gold Peak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP379-OC5 | Gold Peak | Gold Peak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP390-50 | Handles Unlimited | GP390-50 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP392F-7C1 | GP | Silver coin battery; SR41/SR41W 1.55V 42mAh 7.9x3.6mm 392 1pcs/card packing BATSR41-392-gp кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP392F-7C1 | GP | Silver coin battery; SR41/SR41W 1.55V 42mAh 7.9x3.6mm 392 1pcs/card packing BATSR41-392-gp кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP392F-7C1 | GP | Silver coin battery; SR41/SR41W 1.55V 42mAh 7.9x3.6mm 392 1pcs/card packing BATSR41-392-gp кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP395 | Gold Peak | Gold Peak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A200 | SHARP | 04+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A224RCKOF | SHARP | 06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A232RCK1F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A233RBK0F | Sharp Microelectronics | Description: ROTARY ENCODER OPTICAL Detent: No Encoder Type: Optical Voltage - Supply: 6V Output Type: Quadrature (Incremental) Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Built in Switch: No Actuator Type: Codewheel Not Included | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A236RCK0F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A239RCK0F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A240C2K0F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A241C2K0F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A242RCK0F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A28W | SHARP | 04+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A300 | SHARP | 06+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A53R | SHARP | 04+ | на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3A93R Код товару: 143602
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GP3A93RJJ00F | Sharp Microelectronics | Description: OPTOELECTRONIC COMPONENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D005A120C | SemiQ | Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2 Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D005A170B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2 | на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D005A170B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 | на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D005A170B | --- | DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D006A065A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D006A065A | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D008A065A | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220 | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D008A065D | SemiQ | Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065A | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2 | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A065C | SemiQ | Description: DIODE SILICON CARBIDE Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065D | SemiQ | Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A065D | SemiQ | Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A120A | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220 | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A120A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A120B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A120B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A120S | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A170B | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D010A170B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 39A Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D010A170B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D012A065A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D012A065A | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D012A065B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D012A065B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D015A120A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D015A120A | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220 | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D015A120B | SemiQ | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D015A120B | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D020A065A | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D020A065A | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A065B | SemiQ | DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D020A065B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A065B | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2 | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A065U | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3 | на замовлення 574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A065U | SemiQ | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A120B | SemiQ | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2 | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A120B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A120U | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3 | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A170B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 67A Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D020A170B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D024A065U | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D024A065U | SemiQ | Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3 Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D030A060B | SemiQ | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247 Part Status: Active Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D030A065B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D030A065B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 30A Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D030A120B | SemiQ | Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472 Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 30A Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D030A120B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D030A120U | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3 | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D030A120U | SemiQ | Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D040A065U | SemiQ | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D040A065U | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D040A120U | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3 | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D050A065B | SemiQ | Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D050A065B | SemiQ | DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D050A120B | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D050A120B | SemiQ | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2 | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D050B170B | SemiQ | 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D050B170B | SemiQ | Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 151A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D050B170B | SemiQ | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2 | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D060A120B | SemiQ | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3D060A120U | SemiQ | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3D060A120U | SemiQ | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3JB360R-TL | SEI Stackpole Electronics | Res 360 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3JB68R0-TL | SEI Stackpole Electronics | Res Power Film 18 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3JB68R0-TL | SEI Stackpole Electronics | Res Power Film 18 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3JB82R0-TL | SEI Stackpole Electronics | Res 82 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3JB82R0-TL | SEI Stackpole Electronics | Res 82 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3R221AA6000 | Coto Technology | GP3R221AA6000 | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3R231AD1000 | Coto Technology | GP3R231AD1000 | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3R231AD2000 | Coto Technology | GP3R231AD2000 | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GP3S102 | SHARP | 04+ | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3S105 | SHARP | 04+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3S128 | SHARP | 06+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GP3T014A120H | SemiQ | Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 484W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

