Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB020N10N5LF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3 Transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 313W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LF-VB | VBSEMI | IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 313W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon | IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 313W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V | на замовлення 30354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3 G | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB020NE7N3G | Rochester Electronics, LLC | Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | на замовлення 5372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 7434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB021N06N3G | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 183 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB021N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB021N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V | на замовлення 6952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB021N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB021N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB021N10NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 176A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 3833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB022N04LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB022N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB022N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB022N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB022N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB022N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB023N03LF2SATMA1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB023N03LF2SATMA1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 362 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB023N04NG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6 | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB023N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 141µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 5 Transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 375W Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 43528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V | на замовлення 6420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7 Transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: TO263-7 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB024N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|