Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
10+315.08 грн
100+228.51 грн
500+197.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.44 грн
3+341.53 грн
10+272.56 грн
100+239.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+315.39 грн
500+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.77 грн
10+293.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+563.22 грн
50+401.62 грн
100+364.77 грн
200+292.51 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GE818XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+153.22 грн
100+91.82 грн
500+77.32 грн
1000+70.41 грн
2000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
10+218.23 грн
100+153.72 грн
500+118.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+157.19 грн
100+91.82 грн
500+76.63 грн
1000+65.93 грн
5000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+244.07 грн
65+218.78 грн
66+216.58 грн
100+169.62 грн
250+155.49 грн
500+127.08 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.85 грн
500+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.07 грн
10+218.78 грн
25+216.58 грн
100+169.62 грн
250+155.49 грн
500+127.08 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.90 грн
10+144.97 грн
100+105.51 грн
500+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.28 грн
500+112.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.75 грн
10+204.32 грн
100+144.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.98 грн
1600+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.45 грн
10+255.63 грн
100+165.68 грн
500+138.07 грн
800+128.40 грн
2400+120.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.28 грн
10+185.24 грн
100+131.28 грн
500+112.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1 IPB026N10NF2SInfineonN-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.83 грн
10+273.10 грн
100+175.35 грн
500+155.33 грн
1000+138.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+519.08 грн
29+496.78 грн
50+477.85 грн
100+445.15 грн
250+399.68 грн
500+373.25 грн
1000+364.12 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GInfineonN-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.76 грн
100+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3G(UMW) IPB027N10N3GUMWN-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3GVBSEMIN-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.69 грн
2000+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+251.63 грн
62000+231.05 грн
93000+216.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.33 грн
1000+199.86 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.90 грн
10+252.09 грн
50+221.48 грн
200+177.25 грн
500+147.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.48 грн
10+277.01 грн
100+199.39 грн
500+172.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.30 грн
10+277.86 грн
100+180.18 грн
500+158.09 грн
1000+139.45 грн
2000+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.80 грн
1000+198.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.48 грн
200+177.25 грн
500+147.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.79 грн
500+227.98 грн
1000+214.99 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.39 грн
10+264.37 грн
100+184.32 грн
500+158.78 грн
1000+138.07 грн
2000+129.09 грн
5000+128.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.87 грн
69+207.43 грн
70+205.35 грн
100+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.98 грн
10+251.88 грн
100+180.29 грн
500+152.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.87 грн
10+207.43 грн
25+205.35 грн
100+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.08 грн
10+298.00 грн
50+256.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.34 грн
100+232.56 грн
500+223.17 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.36 грн
2000+132.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5InfineonMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.99 грн
10+131.79 грн
100+82.15 грн
500+68.90 грн
1000+58.75 грн
2000+55.78 грн
5000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+127.82 грн
100+77.32 грн
500+64.13 грн
1000+55.64 грн
2000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 24609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+112.70 грн
100+79.14 грн
500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.24 грн
10+143.36 грн
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.24 грн
2000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.05 грн
1600+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+122.26 грн
100+67.65 грн
500+54.05 грн
800+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+89.22 грн
100+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.29 грн
10+382.66 грн
100+269.23 грн
500+240.93 грн
1000+204.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+751.28 грн
25+743.90 грн
100+710.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.82 грн
10+324.65 грн
100+245.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.65 грн
10+751.28 грн
25+743.90 грн
100+710.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+213.56 грн
100+136.00 грн
500+117.36 грн
1000+111.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.87 грн
10+201.33 грн
100+142.66 грн
500+110.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.46 грн
10+211.82 грн
100+157.05 грн
500+127.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+173.07 грн
100+110.45 грн
500+100.10 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.97 грн
10+193.30 грн
100+141.75 грн
500+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 11297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+161.76 грн
100+113.41 грн
500+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.86 грн
10+179.42 грн
100+109.76 грн
500+93.89 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.45 грн
2000+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3 GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.13 грн
10+308.03 грн
100+219.53 грн
500+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]