Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP034N08N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3 G Код товару: 182613
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220-3 Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 100 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,4 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6110/88 Монтаж: THT | у наявності: 41 шт
|
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3 G | Infineon | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP034NE7N3G | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP034NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 107 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon | IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N08N3 G | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3 G E8181 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3G | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3G | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP037N08N3GE8181XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon | IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 | на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP038N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP038N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 Код товару: 202351
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 94W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP039N10N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP039N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MV POWER MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP03N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP03N03LAG | INFINEON | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP03N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP03N03LBG | infineon | 08+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP0400N | Infineon Technologies | Description: IPP0400N Packaging: Bulk | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP0400NXKSA1 | Infineon Technologies | IPP0400NXKSA1 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP0400NXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 524 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP0400NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N Код товару: 202352
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP040N06N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3 G | Infineon | на замовлення 147000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP040N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3G | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3G | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3GXK | Infineon technologies | на замовлення 424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 741731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Код товару: 202066
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

