Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
50+79.45 грн
100+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.12 грн
150+94.29 грн
166+85.33 грн
200+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+120.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.44 грн
10+175.91 грн
50+174.07 грн
100+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+120.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.82 грн
82+172.66 грн
100+153.15 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.11 грн
50+129.02 грн
100+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1InfineonIPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP034N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP034N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.11 грн
50+129.02 грн
100+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності: 31 шт
  • 8 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
1+124.00 грн
10+113.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1InfineonIPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.26 грн
50+261.33 грн
100+235.75 грн
500+184.48 грн
1000+159.96 грн
2000+144.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.90 грн
55+260.10 грн
100+234.64 грн
500+183.61 грн
1000+159.21 грн
2000+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.47 грн
3+223.08 грн
10+192.05 грн
20+173.60 грн
50+157.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
50+121.87 грн
100+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+391.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+169.72 грн
1000+160.29 грн
10000+145.48 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
50+86.72 грн
100+78.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 G E8181Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GE8181XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.66 грн
10+129.99 грн
50+78.83 грн
100+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.63 грн
119+119.42 грн
129+110.48 грн
500+100.53 грн
1000+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
50+118.86 грн
100+109.96 грн
500+100.06 грн
1000+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1InfineonIPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+154.50 грн
50+118.94 грн
100+100.87 грн
500+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.67 грн
50+233.05 грн
100+212.64 грн
500+165.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.52 грн
10+90.97 грн
100+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.74 грн
10+217.76 грн
50+169.89 грн
100+144.96 грн
500+119.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
10+149.28 грн
50+140.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+218.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LAGINFINEON08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LBGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NInfineon TechnologiesDescription: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesIPP0400NXKSA1
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
10000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.07 грн
84+170.33 грн
100+164.55 грн
250+153.85 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N
Код товару: 202352
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: -20...20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+139.09 грн
50+121.60 грн
100+114.89 грн
300+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.