Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.46 грн
50+179.43 грн
100+162.96 грн
500+125.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+194.20 грн
1000+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+194.20 грн
1000+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+392.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+170.10 грн
1000+160.65 грн
10000+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.37 грн
50+261.92 грн
100+236.28 грн
500+184.89 грн
1000+160.32 грн
2000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GInfineonMOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+121.47 грн
100+84.22 грн
500+77.32 грн
1000+57.09 грн
5000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
50+85.93 грн
100+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.85 грн
10+135.31 грн
100+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3 G E8181Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GE8181XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.89 грн
119+119.68 грн
129+110.73 грн
500+100.76 грн
1000+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.28 грн
10+125.43 грн
100+99.41 грн
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+133.70 грн
100+115.17 грн
500+101.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.33 грн
50+119.13 грн
100+110.21 грн
500+100.28 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
50+130.62 грн
100+118.28 грн
500+90.70 грн
1000+84.18 грн
2000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GInfineonMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.44 грн
50+230.91 грн
100+210.69 грн
500+164.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.60 грн
10+258.01 грн
100+185.01 грн
500+156.71 грн
1000+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+85.74 грн
100+58.96 грн
500+55.23 грн
1000+45.29 грн
5000+43.15 грн
10000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.76 грн
10+91.17 грн
100+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+95.84 грн
100+71.76 грн
500+62.45 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.67 грн
25+153.22 грн
100+122.19 грн
500+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+218.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
10+189.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
50+139.27 грн
100+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LAGINFINEON08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP03N03LBGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NInfineon TechnologiesDescription: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesIPP0400NXKSA1
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.46 грн
515+68.82 грн
1000+63.47 грн
10000+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.46 грн
84+170.70 грн
100+164.91 грн
250+154.19 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+61.16 грн
1000+57.23 грн
2500+55.23 грн
5000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N
Код товару: 202352
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3 GInfineon
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKInfineon technologies
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.63 грн
227+62.66 грн
500+57.74 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.63 грн
148+95.85 грн
166+85.47 грн
500+71.34 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+109.56 грн
100+64.68 грн
500+55.30 грн
1000+48.95 грн
2500+46.32 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.46 грн
500+85.01 грн
1000+78.42 грн
10000+67.41 грн
100000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
11+78.20 грн
100+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
50+66.93 грн
100+59.99 грн
500+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.22 грн
12+66.20 грн
100+62.26 грн
500+55.31 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
10+78.94 грн
50+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.46 грн
500+85.01 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+61.16 грн
1000+58.89 грн
2500+56.88 грн
5000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.05 грн
10+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 : IPP040N06NInfineonMOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
10+60.91 грн
50+50.94 грн
100+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+75.82 грн
100+56.06 грн
500+44.39 грн
1000+40.11 грн
5000+34.93 грн
10000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+75.83 грн
520+68.24 грн
1000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1
Код товару: 202353
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
11+77.64 грн
100+69.34 грн
500+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]