Продукція > MJE

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE172GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 3A TO126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.96 грн
10+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.23 грн
12+68.46 грн
100+45.19 грн
500+30.67 грн
1000+24.36 грн
3000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.59 грн
100+32.62 грн
500+23.79 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.04 грн
15+55.27 грн
100+36.98 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
на замовлення 6354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.46 грн
313+45.19 грн
500+31.80 грн
1000+26.30 грн
3000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.17 грн
52+14.71 грн
53+14.42 грн
100+13.53 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172G
Код товару: 86262
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172MJE182
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STU
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180ON0305
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
50+104.10 грн
100+93.82 грн
500+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaMJE18002D2
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
10000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.96 грн
500+72.87 грн
1000+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.96 грн
500+72.87 грн
1000+67.19 грн
10000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.96 грн
500+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.96 грн
500+72.87 грн
1000+67.19 грн
10000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
50+68.10 грн
100+61.02 грн
500+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.82 грн
10+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON-SemiconductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
Код товару: 77960
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 14MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+120.22 грн
1000+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 14MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+120.22 грн
1000+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+120.22 грн
1000+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008
Код товару: 77961
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
50+104.30 грн
100+94.13 грн
500+71.62 грн
1000+66.24 грн
2000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+141.16 грн
100+133.20 грн
250+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON-SemiconductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.51 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.36 грн
107+133.38 грн
250+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GOn SemiconductorTO220AB (аналог 2SC4242) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+115.42 грн
100+104.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.69 грн
250+183.49 грн
500+147.85 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.51 грн
50+116.60 грн
100+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1800B
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.11 грн
15+55.92 грн
100+40.72 грн
500+37.06 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.16 грн
500+52.79 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.70 грн
100+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.17 грн
358+39.51 грн
500+30.47 грн
1000+27.75 грн
1920+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]