Продукція > PJA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJA3411-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-R1-00001PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 29966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.83 грн
100+10.58 грн
500+7.39 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.30 грн
6000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 25229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -20V -3.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.52 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.03 грн
15000+1.97 грн
30000+1.89 грн
75000+1.75 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+21.36 грн
100+13.28 грн
500+8.53 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 44970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+25.81 грн
100+14.61 грн
500+9.08 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
6000+5.81 грн
15000+5.16 грн
30000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 87312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.87 грн
100+11.56 грн
500+8.85 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
39+10.82 грн
100+7.15 грн
500+5.42 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.11 грн
6000+5.63 грн
9000+4.87 грн
30000+4.48 грн
75000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3414-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3414_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3414_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415 R2 00001PanjitMOSFETs PAN-JIT AMERICAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415-R1-00001PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 32998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
28+15.52 грн
100+8.22 грн
250+7.38 грн
500+6.88 грн
1000+6.54 грн
3000+5.87 грн
9000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
24+12.91 грн
100+5.89 грн
500+5.25 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-R1-00001PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-AU-R1PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
6000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
16+19.62 грн
100+10.27 грн
500+9.18 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-R1-00501Panjit TO-220AB-L/MOS/NFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-R2-00001PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AEAU-R1-000A1PanjitPanjit SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00001PANJITP-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
6000+6.65 грн
9000+5.89 грн
15000+5.42 грн
21000+5.28 грн
30000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 38335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
17+18.19 грн
100+9.52 грн
500+8.51 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Pulsed drain current: -17.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R2_00001---Transistor MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
на замовлення 12313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.85 грн
100+12.54 грн
500+8.80 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
6000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -20V -4.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.52 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.03 грн
15000+1.97 грн
30000+1.89 грн
75000+1.75 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.41 грн
9000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 10 V
на замовлення 13373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.32 грн
100+7.03 грн
500+4.85 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -20V -4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.52 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.03 грн
15000+1.97 грн
30000+1.89 грн
75000+1.75 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
13+24.15 грн
100+12.19 грн
500+9.33 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE-AU-R1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
6000+5.68 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
31+13.84 грн
100+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 29429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
17+18.64 грн
100+9.41 грн
500+7.83 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R2_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 592 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
19+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 592 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: N 20V 5.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.59 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.66 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416A_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+25.21 грн
100+15.72 грн
500+10.09 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416_R2_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3419AE-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3419_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3419_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3419_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.11 грн
100+9.15 грн
500+7.00 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3419_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3420E-R1-00701PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3422-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3422-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 11179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+20.68 грн
100+10.97 грн
500+6.78 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
35+12.08 грн
100+7.53 грн
500+5.58 грн
1000+4.96 грн
3000+4.15 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]