Продукція > QS8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
QS8J11TCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J12TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J12TCRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET 12V 4.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.74 грн
12+66.82 грн
100+47.20 грн
500+36.56 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.57 грн
50+43.49 грн
100+36.23 грн
500+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.74 грн
212+66.82 грн
300+47.20 грн
500+36.56 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRROHMDescription: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.23 грн
50+57.20 грн
100+47.90 грн
500+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.82 грн
100+43.76 грн
500+32.18 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V Vds -4A 0.06Rds(on) 8.4Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4FRATRROHMDescription: ROHM - QS8J4FRATR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.47 грн
10+85.43 грн
100+61.66 грн
500+48.38 грн
1000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.29 грн
50+54.95 грн
100+45.99 грн
500+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.47 грн
166+85.43 грн
230+61.66 грн
500+48.38 грн
1000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 84mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.98 грн
250+70.06 грн
500+67.53 грн
1000+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 5A 8PIN
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.84 грн
50+73.24 грн
100+61.60 грн
500+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.19 грн
50+43.31 грн
100+36.12 грн
500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 3.5A
Gate charge: 3.3nC
On-state resistance: 75mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.37 грн
12+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.81 грн
315+44.93 грн
500+43.31 грн
1000+40.40 грн
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRROHMDescription: ROHM - QS8K13TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.02 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.16 грн
150+94.62 грн
204+69.64 грн
500+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.16 грн
10+94.62 грн
100+69.64 грн
500+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+84.84 грн
50+63.95 грн
100+53.66 грн
500+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.19 грн
10+80.35 грн
100+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+65.14 грн
50+48.61 грн
100+40.60 грн
500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 45V 4A 8PIN
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.19 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.19 грн
334+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.96 грн
344+41.23 грн
500+39.74 грн
1000+37.08 грн
2500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.81 грн
15+50.40 грн
100+35.16 грн
500+26.83 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 30V 3.5A 8PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.96 грн
344+41.23 грн
500+39.74 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.96 грн
344+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.40 грн
403+35.16 грн
509+27.82 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+50.04 грн
295+48.03 грн
500+46.30 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8MKa-Ro electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-MQ00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM The factory is currently not taking orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-MQ00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/MQ/1600/1024S/4GF/E85 socketed module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-ND00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-ND00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85 socketed module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-SVMQKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M Evaluation Kit including QS8M-MQ00
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-SVNDKa-Ro electronicsDaughter Cards & OEM Boards QSBASE2 incl. USB cable / USB serial adaptor / QS8M-ND00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.35 грн
282+50.25 грн
500+48.44 грн
1000+45.18 грн
2500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M1FU7TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Kind of package: reel; tape
Case: TSMD8
On-state resistance: 137/266mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4...6A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 4/7.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3/-2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.35 грн
10+45.87 грн
100+31.28 грн
250+27.17 грн
500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.12 грн
50+40.17 грн
100+33.45 грн
500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]