Продукція > QS8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
QS8J12TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRROHMDescription: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.18 грн
50+50.16 грн
100+41.90 грн
500+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TRROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.65 грн
50+55.99 грн
100+46.91 грн
500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.46 грн
50+48.13 грн
100+40.21 грн
500+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4FRATRROHMDescription: ROHM - QS8J4FRATR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V Vds -4A 0.06Rds(on) 8.4Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.56 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 84mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.78 грн
50+53.80 грн
100+45.03 грн
500+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.98 грн
250+70.06 грн
500+67.53 грн
1000+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.80 грн
50+71.70 грн
100+60.31 грн
500+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J5TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 5A 8PIN
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT8
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 3.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.99 грн
50+42.40 грн
100+35.36 грн
500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.10 грн
50+62.60 грн
100+52.53 грн
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRROHMDescription: ROHM - QS8K13TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.02 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.17 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+144.15 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.78 грн
50+47.58 грн
100+39.75 грн
500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 45V 4A 8PIN
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 30V 3.5A 8PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.96 грн
344+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.96 грн
344+41.23 грн
500+39.74 грн
1000+37.08 грн
2500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+50.04 грн
295+48.03 грн
500+46.30 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TRROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8MKa-Ro electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-MQ00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM The factory is currently not taking orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-MQ00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/MQ/1600/1024S/4GF/E85 socketed module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-ND00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-ND00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85 socketed module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-SVMQKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M Evaluation Kit including QS8M-MQ00
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M-SVNDKa-Ro electronicsDaughter Cards & OEM Boards QSBASE2 incl. USB cable / USB serial adaptor / QS8M-ND00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.35 грн
282+50.25 грн
500+48.44 грн
1000+45.18 грн
2500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M1FU7TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.