Продукція > SKM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SKM200GAL126D | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL12E4 22892304 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw Collector current: 200A Pulsed collector current: 600A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Topology: boost chopper Case: SEMITRANS3 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GAL12T4 22892320 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL12VL2 22895560 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMITRANS2 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL162D | SEMIKRON | A4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL173 | Semikron | 1700 В, 150 А Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL173D Код товару: 79647
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAL173D | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL173D | SEMIKRON | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL176 | SIEMENS | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAL176D | Semikron | IGBT MODULE 1.7KV, 200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL176D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL176D Код товару: 161186
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAL176D 22890514 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.7kV Topology: boost chopper Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL17E4 Код товару: 178659
Додати до обраних
Обраний товар
| Semikron | Транзистори > IGBT Корпус: 106,4x61,4x30,5 mm Напруга колектор-емітер Vces, В: 1700 В Напруга насичення Vce, В: 20 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 321 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 248 А Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 259/712 | товару немає в наявності
|
| ||||||
| SKM200GAL17E4 | Semikron | SKM200GAL17E4 SKM200GAL173E4 IGBT MODULE, 1700V, 248A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAL17E4 22895110 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: boost chopper Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 248A Pulsed collector current: 1170A Max. off-state voltage: 1.7kV | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GAR101D | SEMIKRON | 200A/1000V/IGBT+DIODE/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAR121D | SEMIKRON | 200A/1200V/IGBT+DIODE/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAR122 Код товару: 171741
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAR122D | SEMIKRON | 200A/1200V/IGBT+DIODE/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAR123D | SEMIKRON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAR124D | SEMIKRON | 200A/1200V/IGBT+DIODE/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GAR125D Код товару: 105807
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAR12E4 22892420 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw Topology: buck chopper Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600kA Max. off-state voltage: 1.2kV | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GAR173D Код товару: 61347
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GAR173D | SEMIKRON | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB063D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| skm200gb073d Код товару: 79645
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB101D | SEMIKRON | 200A/1000V/IGBT/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB102D | SEMIKRON | 200A/1000V/IGBT/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB120DN2 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SKM200GB121D | SEMIKRON | 200A/1200V/IGBT/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB122D | SEMIKRON | 200A/1200V/IGBT/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB123 | на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SKM200GB1235D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB123D | Semikron | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB123D Код товару: 46483
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB123D | SEMIKRON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB123D(124D) | SEMIKRON | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB124D | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB124D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB124D Код товару: 84341
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB125 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SKM200GB125D | SEMIKRON | Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB125D | Semikron | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB125D | Semikron | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 3-Pin Case D-56 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GB125D Код товару: 56786
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB125D | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Version: D56 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: SEMITRANS3 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 160A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GB125D/13 | SEMIKRON | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB128 | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB128D Код товару: 94453
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB128D | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB128DE | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 173 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB128DR | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB12E4 | SEMIKRON | Description: SEMIKRON - SKM200GB12E4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 313A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 313A Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB12F4SiC | Semikron | SEMITRANS 3 (106x62x31), VCE in=1200V, ICnom in=200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB12T4 | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB12T4 | SEMIKRON | Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 313A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 313A Betriebstemperatur, max.: 175°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB12T4 Код товару: 177189
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB12T4 22892060 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 241A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 241A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Version: D56 | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GB12V Код товару: 118827
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB170DLC | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB170DN2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SKM200GB173D | SKMIKON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB173D | Semikron | IGBT-модуль Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB173D | Semikron | 1700 В, 150 А Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB173D Код товару: 79871
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB173D(174D) | SEMIKRON | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB173DH6 | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB174D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB174D Код товару: 106551
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB176D Код товару: 150582
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB176D | Semikron | IGBT MODULE 1.7KV, 260A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GB176D 22890700 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 180A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 180A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mechanical mounting: screw | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM200GB176DH10 Код товару: 112200
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM200GB17E4 Код товару: 178661
Додати до обраних
Обраний товар
| Semikron | Транзистори > IGBT Корпус: 106,4x61,4x30,5 mm Напруга колектор-емітер Vces, В: 1700 В Напруга насичення Vce, В: 1,9 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 321 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 248 А Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 259/712 | товару немає в наявності
|
| ||||||
| SKM200GBD123D1S | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GBD126D 22891102 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 186A; SEMITRANS3 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT half-bridge + serial diodes Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 186A Case: SEMITRANS3 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 414A Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200GM12T4 22892470 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMITRANS3 Application: Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Topology: IGBT x2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM200MLI066TAT 21917820 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SEMITRANS5 Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS5 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 650V Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM204A | SEMIKRON | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM214A | SEMIKRON | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM224A | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM22GAL121D | SEMIKROM | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM22GAL123D | SEMIKROM | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM22GD101D | SEMIKRON | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM22GD121 | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM22GD121D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM22GD123D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 612 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM254F | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM254F Код товару: 35874
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM25GAH125D 21917990 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 25A Case: SEMITRANS6 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM25GB100D | SEMIKRON | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM25GD100D | SEMIKRON | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SKM25GD123D | SEMIKRON | MODULE | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SKM25GD125D 21918000 | SEMIKRON DANFOSS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Topology: IGBT three-phase bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS6 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors Semiconductor structure: transistor/transistor Version: D67 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 27A Pulsed collector current: 50A Max. off-state voltage: 1.2kV | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| SKM2600-DP | Soundskrit, Inc. | Description: Dipole microphone module Frequency Range: 20 Hz ~ 20 kHz Voltage Range: 1.7 V ~ 3.6 V Current - Supply: 115 µA Impedance: 100 Ohms Voltage - Rated: 1.8 V Height (Max): 0.191" (4.85mm) Port Location: Top Ratings: IPX7 Direction: Noise Cancelling Termination: Flex Cable S/N Ratio: 65.5dB Type: MEMS (Silicon) Shape: Rectangular Sensitivity: -31dB ±1dB @ 94dB SPL Size / Dimension: 0.630" L x 0.157" W (16.00mm x 4.00mm) Output Type: Analog Packaging: Tray | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| SKM2600-HC | Soundskrit, Inc. | Description: Hypercardioid Microphone Module Height (Max): 0.191" (4.85mm) Port Location: Top Ratings: IPX7 Direction: Noise Cancelling Termination: Flex Cable S/N Ratio: 65.5dB Type: MEMS (Silicon) Shape: Rectangular Sensitivity: -31dB ±1dB @ 94dB SPL Size / Dimension: 0.630" L x 0.157" W (16.00mm x 4.00mm) Output Type: Analog Packaging: Tray Frequency Range: 20 Hz ~ 20 kHz Voltage Range: 1.7 V ~ 3.6 V Current - Supply: 115 µA Impedance: 100 Ohms Voltage - Rated: 1.8 V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| SKM260MB170SCH17 | Semikron | SKM260MB170SCH17 IGBT MODULE, 1700V, 378A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

