Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP109118BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP109118BEssentra Access SolutionsDescription: STP109118B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10DNIE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10H100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10K80Z
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
50+156.09 грн
100+141.76 грн
500+109.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 21.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.63 грн
50+160.00 грн
100+159.80 грн
500+145.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+161.63 грн
88+160.00 грн
100+159.80 грн
500+145.33 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.48 грн
50+67.79 грн
100+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 13.5nC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.64 грн
5+84.83 грн
10+75.77 грн
25+64.24 грн
50+57.65 грн
100+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60ZFP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N62K3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N65K3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.09 грн
1000+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 22nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.00 грн
5+130.13 грн
25+111.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.09 грн
1000+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMN-Channel 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.61 грн
10+163.07 грн
25+158.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.89 грн
50+146.23 грн
100+132.66 грн
500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NA40
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NA40FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB20STTO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB20FP
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB50STTO-220
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB50FPSTTO-220FP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB60SFPST
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50STMicroelectronicsMOSFETs MOS 500V .52 OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50STTO-220
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50F
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.55 Ohm 9 A SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTM07+ TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZPST09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.24 грн
50+192.29 грн
100+178.33 грн
500+151.56 грн
1000+129.95 грн
2000+123.52 грн
5000+120.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z
Код товару: 14727
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 180 шт
  • 180 шт - склад
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.98 грн
50+164.43 грн
100+149.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.42 грн
5+184.48 грн
10+159.77 грн
25+130.95 грн
50+115.30 грн
100+102.12 грн
500+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5,7 А, Rds = 750 мОм, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220FP Очікується: 15 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.20 грн
50+153.27 грн
100+139.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTN-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.61 грн
5+205.07 грн
10+177.07 грн
25+143.30 грн
50+123.54 грн
100+107.07 грн
500+82.36 грн
1000+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTN-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 296 шт
  • 213 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFP-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics; STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO TSTP10NK60ZFP CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZSTMTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
50+156.25 грн
100+141.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 700 Volt 8.6Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70Z
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.56 грн
50+198.00 грн
100+180.58 грн
500+140.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+345.02 грн
5+249.54 грн
10+215.78 грн
50+154.01 грн
100+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.39 грн
2000+102.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFP
Код товару: 151574
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.16 грн
2000+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZFPSTN-MOSFET 8.6A 700V 35W 0.85Ω STP10NK70ZFP TSTP10NK70ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80FPSTTO-220 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.43 грн
50+143.96 грн
100+141.89 грн
500+133.88 грн
1000+121.48 грн
2000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTN-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMN-Ch 800V 9A 160W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]