Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP10356457STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 457mm; W: 356mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD
Closing system: for welding
Length: 457mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 356mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2869.04 грн
5+2503.65 грн
10+2350.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10457457STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 457mm; W: 457mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD
Length: 457mm
Width: 457mm
Thickness: 75µm
Quantity in set/package: 100pcs.
Closing system: for welding
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Material: metallized film bag
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+114.92 грн
10+53.86 грн
100+41.81 грн
500+34.12 грн
1000+33.53 грн
4000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
11+75.52 грн
100+67.55 грн
500+51.92 грн
1000+42.48 грн
2000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.00 грн
10+77.19 грн
50+57.82 грн
100+48.41 грн
500+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 105A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 4.5mΩ
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.53 грн
6+79.82 грн
10+71.46 грн
25+38.71 грн
50+38.63 грн
68+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.79 грн
500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.36 грн
189+75.52 грн
212+67.55 грн
500+51.92 грн
1000+42.48 грн
2000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.10 грн
2000+39.64 грн
5000+38.52 грн
10000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP106134AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP106134AEssentra Access SolutionsDescription: STP106134A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP106134BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP106134BEssentra Access SolutionsDescription: STP106134B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1080ABGA-100SUNBGA?
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1080ABGA-125SUNBGA?
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1082BGA-180SUNBGA?
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP109118AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP109118AEssentra Access SolutionsDescription: STP109118A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP109118BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP109118BEssentra Access SolutionsDescription: STP109118B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10DNIE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10H100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10K80Z
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+277.78 грн
10+137.28 грн
100+108.29 грн
500+88.72 грн
1000+84.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.17 грн
50+162.51 грн
100+162.31 грн
500+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+305.94 грн
10+155.28 грн
100+122.64 грн
500+101.11 грн
1000+99.15 грн
2000+95.24 грн
5000+93.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.98 грн
10+196.74 грн
50+153.11 грн
100+130.50 грн
500+107.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.17 грн
88+162.51 грн
100+162.31 грн
500+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.55 грн
10+67.74 грн
100+52.06 грн
500+42.21 грн
1000+37.83 грн
2000+36.27 грн
4000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.88 грн
10+90.30 грн
50+68.20 грн
100+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 30A
Technology: MDmesh™ M2
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.41 грн
10+89.33 грн
19+52.11 грн
50+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60ZFP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N62K3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N65K3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.73 грн
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 22nC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.13 грн
5+148.05 грн
9+114.97 грн
23+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.73 грн
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.80 грн
10+163.77 грн
25+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+283.11 грн
10+145.53 грн
100+114.81 грн
500+93.93 грн
1000+88.72 грн
2000+86.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.16 грн
50+146.85 грн
100+133.22 грн
500+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMN-Channel 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NA40
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NA40FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB20STTO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB20FP
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB50STTO-220
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB50FPSTTO-220FP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NB60SFPST
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50STTO-220
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50STMicroelectronicsMOSFETs MOS 500V .52 OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50F
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NC50FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTM07+ TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.55 Ohm 9 A SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK50ZPST09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.08 грн
10+194.91 грн
50+192.96 грн
100+170.76 грн
500+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5,7 А, Rds = 750 мОм, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220FP Очікується: 15 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+286.91 грн
10+163.54 грн
100+128.51 грн
500+110.24 грн
1000+106.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.08 грн
100+177.18 грн
500+136.60 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z
Код товару: 14727
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
  • 35 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
1+98.00 грн
10+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.72 грн
5+181.96 грн
10+165.42 грн
16+61.21 грн
43+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.17 грн
10+212.15 грн
50+165.42 грн
100+141.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 229 шт
  • 162 шт - склад
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 28.10.2026
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBOCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics; STP10NK60ZFP-CN TSTP10NK60ZFP CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK70ZSTMTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.