Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.71 грн
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.36 грн
3000+12.60 грн
4500+11.97 грн
7500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.76 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 26971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.55 грн
50+53.59 грн
100+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.60 грн
12+64.32 грн
25+63.98 грн
100+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 38295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+49.48 грн
1000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.56 грн
3000+37.13 грн
4500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaMOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.13 грн
10000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+48.98 грн
25+44.11 грн
100+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK
на замовлення 40993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
на замовлення 13109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.95 грн
100+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 110696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.50 грн
177+79.95 грн
253+55.97 грн
500+38.16 грн
1500+33.86 грн
3000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
на замовлення 13109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.50 грн
10+79.95 грн
100+55.97 грн
500+38.16 грн
1500+33.86 грн
3000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.64 грн
3000+37.22 грн
4500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115 транзистор
Код товару: 192495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-669
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 32 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 16,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1494/18
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B/C2,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B/C2,115NexperiaBUK9Y19-55B/C2,115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B/C6,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9Y19-55B - N-CHANNEL TRENCHMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B/DSXNexperiaBUK9Y19-55B/DSX
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.13 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-75B/SOT669/LFPAK
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.29 грн
50+54.96 грн
100+46.01 грн
500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 34.1A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+78.83 грн
25+70.45 грн
100+65.41 грн
250+62.90 грн
500+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1955B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+179.79 грн
100+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R6-40H,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R6-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R6-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R6-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R6-40HXNexperiaMOSFET BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40H,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.67 грн
10+121.45 грн
25+118.78 грн
100+106.33 грн
250+95.70 грн
500+86.83 грн
1000+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40HXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 21 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.80 грн
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.66 грн
3000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NXPTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E NEXPERIA TBUK9y21-40e
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.38 грн
100+28.96 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.66 грн
3000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.61 грн
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.33 грн
100+42.06 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-30B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.51 грн
100+37.98 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 50A
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y22-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 34A
на замовлення 11778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.76 грн
10+97.28 грн
25+96.80 грн
100+92.88 грн
250+85.57 грн
500+81.73 грн
1000+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.52 грн
3000+28.24 грн
9000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.28 грн
147+96.32 грн
250+92.41 грн
500+85.14 грн
1000+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+52.04 грн
500+40.45 грн
1000+39.82 грн
1500+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.63 грн
100+23.10 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.52 грн
3000+28.24 грн
9000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]