Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK | на замовлення 7526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 9.4A N-CH MOSFET | на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 38295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; Idm: 226A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 226A Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A On-state resistance: 18mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK | на замовлення 26971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 13655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK | на замовлення 21953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 18nC On-state resistance: 17.3mΩ Power dissipation: 85W Gate-source voltage: ±15V Drain current: 46A Drain-source voltage: 55V Pulsed drain current: 184A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 | на замовлення 334 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 110696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 13655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B,115 Транзистор Код товару: 192495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-669 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK9Y19-55B/C2,115 | Nexperia | BUK9Y19-55B/C2,115 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B/C2,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B/C6,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y19-55B - N-CHANNEL TRENCHMO Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-55B/DSX | Nexperia | BUK9Y19-55B/DSX | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 75V 48.2 | на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y19-75B,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 34.1A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | на замовлення 887 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1955B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R6-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 366 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R6-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R6-40HX | Nexperia | MOSFET BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R6-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R6-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 21 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y1R9-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | NXP | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E NEXPERIA TBUK9y21-40e кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y21-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-30B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 37.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-30B,115 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-60ELX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 50A | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y22-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y22-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

